Оцінка якості інтегральних транзисторів за допомогою низькочастотних шумів

Abstract

В роботі проведено аналіз виразу для шумової моделі транзистора який показує, що найбільший рівень шумів має місце в інверсному режимі інтегрального транзистора. Для активного режиму паразитний опір вносить тільки тепловий шум, рівень якого у широкому діапазоні частот залишається сталим. Якість транзисторів залежить від рівня шумової напруги. Якщо рівень виміряної шумової напруги для транзистора на два і більше порядків більший рівня отриманого за розрахунками, то це вказує на потенційну ненадійність виробу.