Оцінка якості інтегральних транзисторів за допомогою низькочастотних шумів
Автор
Кичак, В. М.
Михалевський, Д. В.
Стронський, В. В.
Дата
2005-06Metadata
Показати повну інформаціюCollections
- Наукові роботи каф. ІКСТ [439]
Анотації
В роботі проведено аналіз виразу для шумової моделі транзистора який показує, що найбільший рівень шумів має місце в інверсному режимі інтегрального транзистора. Для активного режиму паразитний опір вносить тільки тепловий шум,
рівень якого у широкому діапазоні частот залишається сталим. Якість транзисторів залежить від рівня шумової напруги. Якщо рівень виміряної шумової напруги для
транзистора на два і більше порядків більший рівня отриманого за розрахунками, то це вказує на потенційну ненадійність виробу.
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/14284