Показати скорочену інформацію

dc.contributor.authorВербицкий, В. Г.ru
dc.contributor.authorОсадчук, В. С.ru, uk
dc.contributor.authorОсадчук, А. В.ru
dc.contributor.authorМартынюк, В. В.ru
dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.contributor.authorМартинюк, В. В.uk
dc.date.accessioned2017-03-18T20:39:17Z
dc.date.available2017-03-18T20:39:17Z
dc.date.issued2001
dc.identifier.citationИсследование влияния ионного облучения на параметры чувствительных элементов частотных магнитных преобразователей [Текст] / В. Г. Вербицкий, В. С. Осадчук, А. В. Осадчук, В. В. Мартынюк // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. - 2001. - № 2. - С.102-109.ru
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/14843
dc.description.abstractВ статье показаны исследования влияния ионного облу-чения на параметры чувствительных элементов частотных магнит-ных преобразователей на основе МДП транзисторной структуры с отрицательным сопротивлением.uk
dc.language.isoruru
dc.publisherВінницький державний технічний університетuk
dc.relation.ispartofОптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. № 2 : 102-109.uk
dc.subjectотрицательное сопротивлениеuk
dc.subjectгенераторuk
dc.subjectчастотаuk
dc.subjectионное излучениеuk
dc.subjectмагнитное полеuk
dc.titleИсследование влияния ионного облучения на параметры чувствительных элементов частотных магнитных преобразователейru
dc.typeArticle
dc.identifier.udc621.317


Файли в цьому документі

Thumbnail

Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)

Показати скорочену інформацію