| dc.contributor.author | Михалевський, Д. В. | uk |
| dc.contributor.author | Mykhalevskiy, D. V. | en |
| dc.date.accessioned | 2017-03-29T08:28:24Z | |
| dc.date.available | 2017-03-29T08:28:24Z | |
| dc.date.issued | 2013 | |
| dc.identifier.citation | Михалевський Д. В. Вплив паразитної ємності польових транзисторів на рівень власних шумів [Текст] / Д. В. Михалевський // Современные проблемы радиотехники и телекоммуникаций : 9-та міжнародна науково-технічна конференція, Севастополь, 22-26 квітня 2013 р. – 2013. – С. 391. | uk |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/15014 | |
| dc.description.abstract | В роботі розглянуто вплив паразитної ємності польових МОН-транзисторів на рівень їх власних шу-мових характеристик, для операцій вхідного та вихідного контролю. | uk |
| dc.description.abstract | In this paper, the influence of parasitic capacitance MOSFETs field on the intrinsic noise level for operation input and output control. | en |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | Севастопольський національний технічний університет | uk |
| dc.relation.ispartof | Современные проблемы радиотехники и телекоммуникаций : 9-та міжнародна науково-технічна конференція, Севастополь, 22-26 квітня 2013 р. : 391. | uk |
| dc.subject | інтегральний транзистор | uk |
| dc.subject | паразитна ємність | uk |
| dc.subject | вироби електронної техніки | uk |
| dc.subject | власні шуми | uk |
| dc.subject | низькочастотні шуми | uk |
| dc.subject | технологічний контроль якості | uk |
| dc.subject | контроль виробів електронної техніки | uk |
| dc.subject | контроль | uk |
| dc.subject | wares of electronic technique | en |
| dc.subject | low frequency noise | en |
| dc.subject | noise signals | en |
| dc.title | Вплив паразитної ємності польових транзисторів на рівень власних шумів | uk |
| dc.title.alternative | Influence of spurious capacities fet on level intrinsic noise | en |
| dc.type | Thesis | |
