Показати скорочену інформацію

dc.contributor.authorКичак, В. М.uk
dc.contributor.authorКурилова, Н. Г.uk
dc.contributor.authorСлободян, І. В.uk
dc.contributor.authorKychak, V. M.en
dc.contributor.authorKurilova, N. G.en
dc.contributor.authorSlobodyan, I. V.en
dc.date.accessioned2017-04-12T08:09:46Z
dc.date.available2017-04-12T08:09:46Z
dc.date.issued2009
dc.identifier.citationКичак В. М. Аналіз швидкодії елемента пам’яті на базі ХСН [Текст] / В. М. Кичак, Н. Г. Курилова, І. В. Слободян // Матеріали IV міжнародної науково-технічної конференції "Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2009)", м. Вінниця, 8-10 жовтня 2009 р. – Вінниця, 2009. – Ч. 1. - С. 46-48.uk
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/15210
dc.description.abstractУ дослідженні аналітично доведено, що процес переходу комірки пам’яті на базі аморфного напівпровідника в запам’ятовуючий стан можна розглядати, як поступове просування струмового каналу від анода до катода. Після досягнення каналом катодного електроду виникає запам’ятовуючий стан. Якщо в процесі зростання довжини каналу полярність прикладеної напруги міняється, то з «нового» анода починається зростання нового каналу в зустрічному напрямі. Швидкість росту каналу залежить від складу аморфного напівпровідника і змінюється у межах 10^(-2) – 10^2 см/с.uk
dc.description.abstractIn the study analytically proved that the switching of memory cell which based on amorphous semiconductor, in the storage state can be seen as a gradual growing a conductive channel from the anode to the cathode. The memory condition occurs when the conductive channel reaches the cathode electrode. If growth in the length of the channel polarity of the applied voltage is changed, then the "new" anode starts to grow new channel in the opposite direction. The growth rate of the channel depends on the composition of amorphous semiconductor and ranges within 10^(-2) – 10^2 cm / sec.en
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherВНТУuk
dc.relation.ispartofМатеріали IV міжнародної науково-технічної конференції "Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2009)", м. Вінниця, 8-10 жовтня 2009 р. : 46-48.uk
dc.subjectхалькогенідний склоподібний напівпровідникuk
dc.subjectзапам’ятовуючий пристрійuk
dc.subjectшвидкодіяuk
dc.subjectсhalcogenide glassy semiconductoren
dc.subjectmemory deviceen
dc.subjectperformanceen
dc.titleАналіз швидкодії елемента пам’яті на базі ХСНuk
dc.title.alternativeAnalysis of performance of memory cell based on GSTen
dc.typeThesis


Файли в цьому документі

Thumbnail

Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)

Показати скорочену інформацію