Показати скорочену інформацію

dc.contributor.authorOsadchuk, O. V.en
dc.contributor.authorBaraban, S. V.en
dc.contributor.authorBasich, B. V.en
dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.contributor.authorБарабан, С. В.uk
dc.contributor.authorБасич, Б. В.uk
dc.date.accessioned2017-10-05T12:37:23Z
dc.date.available2017-10-05T12:37:23Z
dc.date.issued2017
dc.identifier.citationOsadchuk O. V. Temperature converter based on IGBT-BJT structure with negative resistance [Text] / O. V. Osadchuk, S. V. Baraban, B. V. Basich // Матеріали VI міжнародної науково-технічної конференції "Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2017)", м. Вінниця, 28-30 вересня 2017 р. - Вінниця, ВНТУ, 2017. - С. 147-148.en
dc.identifier.isbn978-966-641-705-6
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/18309
dc.description.abstractThe paper analyses modern development status of temperature converter on the basis of piroelectrics, represents and describes a new temperature converter on the basis of transistor structure with negative resistance, simulates current-voltage and frequency characteristic of this device in the software environment Pspice.en
dc.language.isoenen
dc.publisherВНТУuk
dc.relation.ispartofМатеріали VI міжнародної науково-технічної конференції "Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2017)", м. Вінниця, 28-30 вересня 2017 р. : 147-148.uk
dc.subjectnegative resistanceen
dc.subjectinsulated gate bipolar transistoren
dc.subjectbipolar junction transistoren
dc.subjectpiroelectricen
dc.subjecttemperature converteren
dc.subjectactive oscillatoren
dc.subjectstructure with negative resistanceen
dc.subjectemanation power transducer sensoren
dc.subjectpiroelectric detectoren
dc.titleTemperature converter based on IGBT-BJT structure with negative resistanceen
dc.typeThesis


Файли в цьому документі

Thumbnail

Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)

Показати скорочену інформацію