| dc.contributor.author | Слободян, І. В. | uk |
| dc.date.accessioned | 2018-04-06T08:41:54Z | |
| dc.date.available | 2018-04-06T08:41:54Z | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.identifier.citation | Слободян І. В. Організація та структура матриць пам’яті на базі хсн [Текст] / І. В. Слободян // Міжнародна науково-технічна конференція "Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2017)», Вінниця, 28-30 вересня 2017 р. – 2017. – С. 81–83. | uk |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/19972 | |
| dc.description.abstract | Розглянуто проблеми створення енергонезалежних
цифрових пристроїв зберігання інформації на базі халькогенідного
склоподібного напівпровідника. Запропоновано структурні схеми
двовимірної та тривимірної матриці пам’яті. Вказані недоліки та переваги
кожного виду матриці. Тривимірну матрицю рекомендовано для реального
застосування. | uk |
| dc.description.abstract | In this paper the problems of creating nonvolatile digital storage
devices based on chalcogenide vitreous semiconductor are discussed. A structural
scheme of two-dimensional and three-dimensional matrix of memory are offered.
Advantages and disadvantages of each type of matrix are considered also. The
three-dimensional matrix is recommended for real use. | en |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | ВНТУ | uk |
| dc.relation.ispartof | Міжнародна науково-технічна конференція "Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2017)», Вінниця, 28-30 вересня 2017 р. : 81-83. | uk |
| dc.subject | цифрова пам’ять | uk |
| dc.subject | халькогенідний склоподібний напівпровідник | uk |
| dc.subject | матриці пам’яті | uk |
| dc.subject | digital memory | en |
| dc.subject | chalcogenide glassy semiconductor | en |
| dc.subject | memory matrix | en |
| dc.title | Організація та структура матриць пам’яті на базі хсн | uk |
| dc.type | Thesis | |
| dc.identifier.udc | 621.397 | |
