Перетворювач температури на основі IGBT-BJT структури з від’ємним опором
dc.contributor.author | Осадчук, В. С. | uk |
dc.contributor.author | Осадчук, О. В. | uk |
dc.contributor.author | Барабан, С. В. | uk |
dc.date.accessioned | 2015-12-07T12:29:10Z | |
dc.date.available | 2015-12-07T12:29:10Z | |
dc.date.issued | 2009-03 | |
dc.identifier.citation | Осадчук В. С. Перетворювач температури на основі IGBT-BJT структури з від’ємним опором [Електронний ресурс] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, С. В. Барабан // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. - 2009. - № 2. - Режим доступу : http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/135/134. | uk |
dc.identifier.issn | 2307-5376 | |
dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/2515 | |
dc.description.abstract | У цій статті проаналізовано сучасний стан розвитку перетворювачів температури на основі піроелектриків. Представлено і описано новий перетворювач температури на основі транзисторної структури з від’ємним опором. Змодельовано вольт-амперну і частотну характеристики представленого пристрою в програмному середовищі Pspice. | uk |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | ВНТУ | uk |
dc.subject | біполярний транзистор з польовим керуванням | uk |
dc.subject | піроелектрик | uk |
dc.subject | перетворювач температури | uk |
dc.subject | від'ємний опір | uk |
dc.subject | датчик потужності випромінювання | uk |
dc.title | Перетворювач температури на основі IGBT-BJT структури з від’ємним опором | uk |
dc.type | Article | |
dc.identifier.udc | 621.382: 681.586.776 |
Files in this item
This item appears in the following Collection(s)
-
Наукові роботи каф. ІРТС [779]
статті, матеріали конференцій