Показати скорочену інформацію

dc.contributor.authorОсадчук, В. С.uk
dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.contributor.authorБарабан, С. В.uk
dc.date.accessioned2015-12-07T12:29:10Z
dc.date.available2015-12-07T12:29:10Z
dc.date.issued2009-03
dc.identifier.citationОсадчук В. С. Перетворювач температури на основі IGBT-BJT структури з від’ємним опором [Електронний ресурс] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, С. В. Барабан // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. - 2009. - № 2. - Режим доступу : http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/135/134.uk
dc.identifier.issn2307-5376
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/2515
dc.description.abstractУ цій статті проаналізовано сучасний стан розвитку перетворювачів температури на основі піроелектриків. Представлено і описано новий перетворювач температури на основі транзисторної структури з від’ємним опором. Змодельовано вольт-амперну і частотну характеристики представленого пристрою в програмному середовищі Pspice.uk
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherВНТУuk
dc.subjectбіполярний транзистор з польовим керуваннямuk
dc.subjectпіроелектрикuk
dc.subjectперетворювач температуриuk
dc.subjectвід'ємний опірuk
dc.subjectдатчик потужності випромінюванняuk
dc.titleПеретворювач температури на основі IGBT-BJT структури з від’ємним опоромuk
dc.typeArticle
dc.identifier.udc621.382: 681.586.776


Файли в цьому документі

Thumbnail

Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)

Показати скорочену інформацію