Показати скорочену інформацію

dc.contributor.authorАзаров, О. Д.uk
dc.contributor.authorГенеральницький, Є. С.uk
dc.contributor.authorAzarov, O. D.en
dc.contributor.authorHeneralnytskyi, Ye. S.en
dc.contributor.authorАзаров, А. Д.ru
dc.contributor.authorГенеральницкий, Є. С.ru
dc.date.accessioned2021-02-03T09:32:39Z
dc.date.available2021-02-03T09:32:39Z
dc.date.issued2020
dc.identifier.citationАзаров О. Д. Статичні і динамічні характеристики високолінійних двотактних буферів напруги на біполярних транзисторах [Текст] / О. Д. Азаров, Є. С. Генеральницький // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2020. – № 4. – С. 89-97.uk
dc.identifier.issn1997-9266
dc.identifier.issn1997-9274
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/31239
dc.description.abstractНа сьогодні широко використовуються двотактні буферні пристрої напруги (БН) в різноманітних вимірювальних аналого-цифрових системах, в яких давач електричного сигналу (напруги) повинен підк-лючатися до перетворювальних пристроїв за допомогою схем, що мають високий вхідний опір (не ме-нше десятків і сотень мегаом), а також низький вихідний опір (не більше ~ 1,0 Ом) для забезпечення постійного значення коефіцієнта передачі у заданих діапазонах амплітуд і частот вхідного сигналу. В статті розглянуто запропоновані схеми високолінійних двотактних буферів напруги на біполярних транзисторах, у тому числі на складених транзисторах Шиклаї з високою швидкістю наростання вихідного сигналу. Запропоновано підхід до побудови БН, який базується на застосуванні відбивачів струму (ВС), які функціонують у двотактному балансному режимі, що забезпечить високу швидкодію у разі стрибкоподібної зміни вхідної напруги. Також досліджено такі малосигнальні статичні характеристики, як вхідний і вихідний опори БН, зсув нуля вхідного струму, а також похибку лінійності в діапазоні вхідної і вихідної напруг. Показано, що порівняно з відомими пристроями запропоновані рішення мають кращі показники. Проаналізовано динамічні характеристики запропонованих схем, такі які АЧХ, коефіцієнт нелінійних спотворень у діапазоні частот вихідного сигналу, а також перехідні характеристики. Доведено, що отримані показники перевищують аналогічні для схем, побудованих на базі операційних підсилювачів. Отримано кількісні значення статичних і динамічних характеристик запропонованих БН, які можуть слугувати, як рекомендації щодо вибору існуючих варіантів залежно від параметрів давачів вхідного сигналу та опору вихідного навантаження.uk
dc.description.abstractPush-pull voltage buffer devices (BD) are widely used in various measuring analog - digital systems, in which the electrical signal (voltage) sensor must be connected to the converter devices using circuits that have a high input impedance (at least tens and hundreds of mega), as well as low output impedance (no more than ~ 1.0 Ohm) to ensure a constant value of the transmission coefficient in the specified ranges of amplitudes and frequencies of the input signal. The article considered the proposed circuits of high-linear push-pull voltage buffers on bipolar transistors, including composite Shiklai transistors with a high slew rate of the output signal. An approach to the construction of a BD is proposed, based on the use of current reflectors, which operate in a push-pull balanced mode, which will provide high performance with a sudden change in the input voltage. We also investigated such small-signal static characteristics as the input and output resistance of the BD, the zero offset of the input current, as well as the linearity error in the range of input and output voltages. It is shown that in comparison with known devices, the proposed solutions have better performance. The dynamic characteristics of the proposed circuits, such as frequency response, nonlinear distortion coefficient in the frequency range of the output signal, as well as transient characteristics, are analyzed. It has been proved that the obtained indicators exceed those for circuits based on operational amplifiers. The quantitative values of the static and dynamic characteristics of the proposed BD are obtained, which can serve as recommendations for the selection of existing options depending on the parameters of the input signal sensors and the output load resistance.en
dc.description.abstractНа сегодня широко используются двухтактные буферные устройства напряжения (БН) в различных измери- тельных аналого-цифровых системах, в которых датчик электрического сигнала (напряжения) должен подклю- чаться к преобразовательным устройствам с помощью схем, имеющим высокое входное сопротивление (не менее десятков и сотен мегаом), а также низкое выходное сопротивление (не более ~ 1,0 Ом) для обеспечения постоянного значения коэффициента передачи в заданных диапазонах амплитуд и частот входного сигнала. В статье были рассмотрены предложенные схемы высоколинейных двухтактных буферов напряжения на бипо- лярных транзисторах в том числе на составных транзисторах Шиклаи с высокой скоростью нарастания вы- ходного сигнала. Предложен подход к построению БН, основанный на применении отражателей тока (ВС), ко- торые функционируют в двухтактном балансном режиме, что обеспечит высокое быстродействие при скачко- образном изменении входного напряжения. Также исследованы такие малосигнальные статические характери- стики, как входное и выходное сопротивление БН, смещение нуля входного тока, а также погрешность линей- ности в диапазоне входного и выходного напряжений. Показано, что по сравнению с известными устройствами предлагаемые решения имеют лучшие показатели. Проанализированы динамические характеристики предло- женных схем, такие как АЧХ, коэффициент нелинейных искажений в диапазоне частот выходного сигнала, а также переходные характеристики. Доказано, что полученные показатели превышают аналогичные для схем, построенных на базе операционных усилителей. Получены количественные значения статических и динамиче- ских характеристик предлагаемых БН, которые могут служить, как рекомендации по выбору существующих вариантов в зависимости от параметров датчиков входного сигнала и сопротивления выходной нагрузки.ru
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherВНТУuk
dc.relation.ispartofВісник Вінницького політехнічного інституту.№ 4 : 89-97.uk
dc.relation.urihttps://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2518
dc.subjectбуфер напругиuk
dc.subjectструмuk
dc.subjectнапругаuk
dc.subjectвхідний опірuk
dc.subjectвихідний опірuk
dc.subjectкоефіцієнт передачіuk
dc.subjectпохибка лінійностіuk
dc.subjectпередатна характеристикаuk
dc.subjectдвотактні буфери напругиuk
dc.subjectvoltage bufferen
dc.subjectcurrenten
dc.subjectvoltageen
dc.subjectinput impedanceen
dc.subjectoutput impedanceen
dc.subjecttransfer ratioen
dc.subjectlinearity erroren
dc.subjecttransfer characteristicen
dc.subjectpush-pull voltage buffersen
dc.subjectбуфер напряженияru
dc.subjectтокru
dc.subjectнапряжениеru
dc.subjectвходное сопротивлениеru
dc.subjectвыходное сопротивлениеru
dc.subjectкоэффициент передачиru
dc.subjectпогрешность линейностиru
dc.subjectпередаточная характеристикаru
dc.subjectдвухтактные буферы напряженияru
dc.titleСтатичні і динамічні характеристики високолінійних двотактних буферів напруги на біполярних транзисторахuk
dc.title.alternativeStatic and Dynamic Characteristics of High Line Push-Pull Buffers Voltages on Bipolar Transistorsen
dc.title.alternativeСтатические и динамические характеристики высоколинейных двухтактных буферов напряжения на биполярных транзисторахru
dc.typeArticle
dc.identifier.udc621.316
dc.relation.referencesУ. Титце, и К. Шенк, Полупроводниковая схемотехника, т. I-II, 12-е изд. Москва, Россия: ДМК Пресс, 2007.ru
dc.relation.referencesИ. П. Степаненко, Основы теории транзисторов и транзисторных схем, изд. 4-е, перераб. и доп. Москва: Энер- гия, 1977, 672 с.ru
dc.relation.referencesА. Б. Гребен, Проектирование аналоговых интегральных схем. Москва: Энергия, 1976, 256 с.ru
dc.relation.referencesГ. Д. Бахтиаров, В. В. Малинин, и В. П. Школин, Аналого-цифровые преобразователи, ред. Г. Д. Бахтиарова. Мо- сква: Советское радио, 1980, с. 150.ru
dc.relation.referencesИ. Достал, Операционные усилители, пер. с англ. Москва: Мир, 1982, с. 192.ru
dc.relation.referencesЛ. Фолкенберри, Применение операционных усилителей и линейных ИС, пер. с англ. Л. М. Наймарка, ред. М. В. Гальперина. М.: Мир, 1985, с. 28.ru
dc.relation.referencesО. Д. Азаров., С. Богомолов, і Є. С. Генеральницький, «Буферний каскад,» Пат. на корисну модель 140842 Украї- на, МПК H03F 3/26 (2006.01), заявник та патентовласник Вінницький нац. техн. ун-т, № u201909170; заявл. 07.08.2019; опубл. 10.03.2020, бюл. № 5.uk
dc.relation.referencesО. Д. Азаров., С. Богомолов, і Є. С. Генеральницький, «Буферний каскад,» Пат. на корисну модель 140841 Украї- на, МПК H03F 3/26 (2006.01), заявник та патентовласник Вінницький нац. техн. ун-т, № u201909166; заявл. 07.08.2019; опубл. 10.03.2020, бюл. № 5.uk
dc.relation.referencesО. Д. Азаров., С. Богомолов, і Є. С. Генеральницький, «Буферний каскад,» Пат. на корисну модель 133085 Украї- на, МПК H03F 3/26 (2006.01), заявник та патентовласник Вінницький нац. техн. ун-т, № u201809899; заявл. 04.10.2018; опубл. 25.03.2019, бюл. № 6.uk
dc.relation.referencesО. Д. Азаров., і Є. С. Генеральницький, «Буферний каскад,» Пат. на корисну модель 142772 Україна, МПК H03F 3/26 (2006.01), заявник та патентовласник Вінницький нац. техн. ун-т, № u202000209; заявл. 13.01.2020; опубл. 25.06.2020, бюл. № 12.uk
dc.relation.referencesО. Д. Азаров, і М. Р. Обертюх, «Високолінійні двотактні балансні буфери напруги на біполярних транзисторах,» Інформаційні технології та комп’ютерна інженерія, № 1 (41), с. 34-41, 2018.uk
dc.relation.referencesО. Азаров, Р. Медяний, і А. Фігас, «Високолінійні буфери й масштабатори напруги на біполярних транзисторах із низьким вхідним струмом,» Інформаційні технології та комп’ютерна інженерія, № 1 (44), с. 17-26, Трав. 2019. https://doi.org/10.31649/1999-9941-2019-44-1-17-26 .uk
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.31649/1997-9266-2020-151-4-89-97


Файли в цьому документі

Thumbnail

Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)

Показати скорочену інформацію