| dc.contributor.author | Makhniy, V. P. | en |
| dc.contributor.author | Kinzerska, O. V. | en |
| dc.contributor.author | Senko, I. M. | en |
| dc.contributor.author | Махній, В. П. | uk |
| dc.contributor.author | Кінзерська, О. В. | uk |
| dc.contributor.author | Сенко, І. М. | uk |
| dc.date.accessioned | 2021-03-17T07:30:24Z | |
| dc.date.available | 2021-03-17T07:30:24Z | |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.identifier.citation | Makhniy V. P. Prospects for the use of ZnSe <Te> crystals in hyperspectral optical systems [Текст] / V. P. Makhniy, O. V. Kinzerska, I. M. Senko // Оптоелектронні інформаційно-енеретичні технології. – 2018. – № 2. – С. 72-74. | en |
| dc.identifier.issn | 1681-7893 | |
| dc.identifier.issn | 2311-2662 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/31553 | |
| dc.description.abstract | The prospects for the use of molten ZnSe <Te> crystals after their additional doping with rareearth
elements to create hyperspectral optical elements with elevated temperature and radiation resistance
are discussed. | en |
| dc.description.abstract | Обговорюються перспективи використання розплавних кристалів ZnSe<Te> після їх
додаткового легування рідкісноземельними елементами для створення гіперспектальних оптичних
елементів з підвищеною температурною та радіаціонною стійкостями. | uk |
| dc.description.abstract | Обсуждается перспективы использования расплавных кристаллов ZnSe<Te> после их
дополнительного легирования редкоземельными элементами для создания гиперспектральных
оптических элементов с повышенными температурной и радиационной стойкостями. | ru |
| dc.language.iso | en | en |
| dc.publisher | ВНТУ | uk |
| dc.relation.ispartof | Оптоелектронні інформаційно-енеретичні технології. № 2 : 72-74. | uk |
| dc.relation.uri | https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/524 | |
| dc.subject | zinc selenide | en |
| dc.subject | temperature and radiation resistance | en |
| dc.subject | transmission | en |
| dc.subject | rare-earth elements | en |
| dc.subject | селенід цинку | uk |
| dc.subject | температурна та радіаційна стійкості | uk |
| dc.subject | пропускання | uk |
| dc.subject | рідкісноземельні елементи | uk |
| dc.subject | селенид цинка | ru |
| dc.subject | температурная и радиационная стойкости | ru |
| dc.subject | пропускание | ru |
| dc.subject | редкоземельные элементы | ru |
| dc.title | Prospects for the use of ZnSe <Te> crystals in hyperspectral optical systems | en |
| dc.title.alternative | Перспективи використання кристалів ZnSe в гіперспектральних оптичних системах | uk |
| dc.type | Article | |
| dc.identifier.udc | 625.315.529 | |
| dc.relation.references | Гаврищук Е.М., Яшина Э.В. (2005). Оптические элементы из сульфида цинка и селенида цинка
для инфракрасной техники. Оптический журнал, 7, 57-59. | ru |
| dc.relation.references | Сеник Б.Н. (2007). Применение кристаллов в перспективных разработках гиперспектральных
оптических систем. Прикладная физика, 3, 134-141. | ru |
| dc.relation.references | Рыжиков В.Д. (1989). Сцинтилляционные кристаллы полупроводниковых соединений АIIBVI.
Получение, свойства, применение. М.:НИИТЭХИМ. | ru |
| dc.relation.references | Гриньов Б.В, Рижиков В.Д. Семиноженко В.П. Старжинський М.Г. (2007). Властивості
халькогенідних сцинтиляторів на основі сполук А2B6, легованих ізовалентними домішками.
Доповіді Національної академії наук України, 8, 84-90. | uk |
| dc.relation.references | Кульчицький Н.А., Наумов А.В. (2014). Современные оптоэлектронные приборы на основе
селенида цинка. Наноинженерия, 11, 19-27. | ru |
| dc.relation.references | Ткаченко І.В. (2005). Механізми дефектоутворення та люмінесценції у бездомішкових та
легованих телуром кристалах селеніду цинку. Дис. канд. фіз.-мат. наук, Чернівці. | uk |
| dc.relation.references | Гореленюк А.Т., Каманин А.В., Шмидт Н.М. (2003). Редкоземельные элементы в технологии
соединений АIIIBV и приборов на их основе. ФТП, 37, 8, 922-940. | ru |
| dc.relation.references | Makniy V.P., Kinzerska O.V., Senko I.M. (2017). “Purification effects” in zinc selenide crystals doped
with ytterbium from vapor phase. Telecom. and Radio Engineering, 75, 3, 279-284. | en |
| dc.identifier.doi | https://doi.org/10.31649/1681-7893-2018-36-2-72-74 | |
