dc.contributor.author | Осадчук, А. В. | uk, ru |
dc.contributor.author | Осадчук, В. С. | uk, ru |
dc.contributor.author | Осадчук, Я. А. | uk, ru |
dc.contributor.author | Osadchuk, O. V. | en |
dc.contributor.author | Osadchuk, V. S. | en |
dc.contributor.author | Osadchuk, Y. A. | en |
dc.date.accessioned | 2021-03-19T10:15:55Z | |
dc.date.available | 2021-03-19T10:15:55Z | |
dc.date.issued | 2019 | |
dc.identifier.citation | Осадчук А. В. Математическое моделирование физического механизма образования объёмного приповерхностного заряда в полупроводниках для интеллектуальных частотных сенсоров концентрации газа [Текст] / А. В. Осадчук, В. С. Осадчук, Я. А. Осадчук // Оптоелектронні інформаційно-енеретичні технології. – 2019. – № 2. – С. 107-112. | ru |
dc.identifier.issn | 1681-7893 | |
dc.identifier.issn | 2311-2662 | |
dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/31604 | |
dc.description.abstract | В работе рассмотрена математическая модель физического механизма
возникновения объемного приповерхностного заряда в полупроводниках в первичных
газочувствительных полупроводниковых сенсорах, описывающая зависимость активной
составляющей полного сопротивления приповерхностного слоя полупроводникового
газочувствительного элемента при адсорбции молекул газа. Избыточные носители заряда
при адсорбции изменяют распределение электростатического поверхностного потенциала в
слое пространственного заряда. Решение уравнения Пуассона позволило получить
выражения для активной составляющей полного сопротивления на поверхности
электронного и дырочного полупроводников газочувствительных сенсоров при адсорбции
молекул газа. Представлена экспериментальная зависимость изменения сопротивления
полупроводникового газочувствительного сенсора на основе ZnO от изменения
концентрации метана. | ru |
dc.description.abstract | In the article, a mathematical model of the physical mechanism of the occurrence of a
bulk surface charge in semiconductors in primary gas sensitive semiconductor sensors is
considered. The mathematical model describes the dependence of the active component of the
impedance of the surface layer of a semiconductor gas-sensitive element during the adsorption of
gas molecules. Excess charge carriers during adsorption change the distribution of the electrostatic
surface potential in the space charge layer. The solution of the Poisson equation made it possible to
obtain expressions for the active component of the impedance on the surface of the electron and
hole semiconductors of gas-sensitive sensors during the adsorption of gas molecules. An
experimental dependence of a change in the resistance of a semiconductor gas-sensitive sensor
based on ZnO on a change in methane concentration is presented. | en |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | ВНТУ | uk |
dc.relation.ispartof | Оптоелектронні інформаційно-енеретичні технології. № 2 : 107-112. | uk |
dc.relation.uri | https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/560 | |
dc.subject | полупроводниковые сенсоры газа | ru |
dc.subject | газореактивный эффект | ru |
dc.subject | реактивные свойства полупроводников | ru |
dc.subject | полное сопротивление | ru |
dc.subject | приповерхностный слой | ru |
dc.subject | semiconductor gas sensors | en |
dc.subject | gas-reactive effect | en |
dc.subject | reactive properties of semiconductors | en |
dc.subject | impedance | en |
dc.subject | surface layer | en |
dc.title | Математическое моделирование физического механизма образования объёмного приповерхностного заряда в полупроводниках для интеллектуальных частотных сенсоров концентрации газа | ru |
dc.title.alternative | Mathematical modeling of the physical mechanism of the formation of a bulk surface charge in semiconductors for intelligent frequency sensors for gas concentration | en |
dc.type | Article | |
dc.identifier.udc | 621.382 | |
dc.relation.references | Мікроелектронні сенсори фізичних величин / за ред. З. Ю. Готри.-Львів: Ліга-Прес, 2002. – 475 с. | uk |
dc.relation.references | Датчики: Справочное пособие / Под общ. ред. В.М. Шарапова, Е.С. Полищука. –Москва:
Техносфера, 2012. – 624с. | ru |
dc.relation.references | Джексон Р.Г. Новейшие датчики / Джексон Р.Г. –Москва: Техносфера, 2007. – 384 с. | ru |
dc.relation.references | Schaumburg H. Sensoren / Schaumburg H. – Stuttgart: B.G.Teubner. 1992. – 517 p. | en |
dc.relation.references | Осадчук В.С., Осадчук О.В., Прокопова М.О.Математична модель мікроелектронного частотного
газового перетворювача // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2003, –№4. – с. 94-98. | uk |
dc.relation.references | Осадчук О.В., Осадчук В.С., Осадчук Я.О. Математична модель газореактивного ефекту в
напівпровідникових сенсорах газу // Вісник Хмельницького Національного університету. Серія:
Технічні науки. Хмельницький, 2019, № 2 (271). –C. 160-166. DOI 10.31891/2307-5732-2019-271-2-
160-166 | uk |
dc.relation.references | Осадчук О.В. Радіовимірювальний перетворювач концентрації газу на транзисторній структурі з
від'ємним опором / Осадчук О.В., Осадчук В.С., Осадчук Я.О. // Матеріали МНТК "Інформаційні
технології та комп'ютерне моделювання". м. Івано-Франківськ, 15-20 травня 2017 р. – С.12-15. | uk |
dc.relation.references | Osadchuk A. Microelectronic Transducer of Gas Concentration based on MOSFET with an Active
Inductive Element / Osadchuk A., Osadchuk V., Seletska O., Krylik L. // PRZEGLAD
ELEKTROTECHNICZNY, ISSN 0033-2097, R. 95 NR 4/2019. –P.237-241 | en |
dc.relation.references | Осадчук В.С. Частотний перетворювач газу на основі двох біполярних транзисторів з активним
індуктивним елементом / Осадчук В.С., Осадчук О.В., Прокопова М.О. // Вісник Вінницького
політехнічного інституту. – 2005, – №2. – С.86-90. | uk |
dc.relation.references | Heiland G. Zum Einflus von adsorbiertenm Sanerstoff auf dieelektriesche Leitfahidkeit vonZinkoxidkristallen / Heiland G. – Berlin: Z.phys., 1954. – 459 p. | en |
dc.relation.references | Бонч-Бруевич В.Л. Физика полупроводников / Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. – М.: Наука,1990. – 688 с. | ru |
dc.relation.references | Шалимова К.В. Физика полупроводников / Шалимова К.В. –М.: Энергия, 1985. – 392 с. | ru |
dc.relation.references | Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников / Ржанов А.В. – М.:Наука, 1971. – 480 с. | ru |
dc.identifier.doi | https://doi.org/10.31649/1681-7893-2019-38-2-107-112 | |