Show simple item record

dc.contributor.authorОсадчук, А. В.uk, ru
dc.contributor.authorОсадчук, В. С.uk, ru
dc.contributor.authorОсадчук, Я. А.uk, ru
dc.contributor.authorOsadchuk, O. V.en
dc.contributor.authorOsadchuk, V. S.en
dc.contributor.authorOsadchuk, Y. A.en
dc.date.accessioned2021-03-19T10:15:55Z
dc.date.available2021-03-19T10:15:55Z
dc.date.issued2019
dc.identifier.citationОсадчук А. В. Математическое моделирование физического механизма образования объёмного приповерхностного заряда в полупроводниках для интеллектуальных частотных сенсоров концентрации газа [Текст] / А. В. Осадчук, В. С. Осадчук, Я. А. Осадчук // Оптоелектронні інформаційно-енеретичні технології. – 2019. – № 2. – С. 107-112.ru
dc.identifier.issn1681-7893
dc.identifier.issn2311-2662
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/31604
dc.description.abstractВ работе рассмотрена математическая модель физического механизма возникновения объемного приповерхностного заряда в полупроводниках в первичных газочувствительных полупроводниковых сенсорах, описывающая зависимость активной составляющей полного сопротивления приповерхностного слоя полупроводникового газочувствительного элемента при адсорбции молекул газа. Избыточные носители заряда при адсорбции изменяют распределение электростатического поверхностного потенциала в слое пространственного заряда. Решение уравнения Пуассона позволило получить выражения для активной составляющей полного сопротивления на поверхности электронного и дырочного полупроводников газочувствительных сенсоров при адсорбции молекул газа. Представлена экспериментальная зависимость изменения сопротивления полупроводникового газочувствительного сенсора на основе ZnO от изменения концентрации метана.ru
dc.description.abstractIn the article, a mathematical model of the physical mechanism of the occurrence of a bulk surface charge in semiconductors in primary gas sensitive semiconductor sensors is considered. The mathematical model describes the dependence of the active component of the impedance of the surface layer of a semiconductor gas-sensitive element during the adsorption of gas molecules. Excess charge carriers during adsorption change the distribution of the electrostatic surface potential in the space charge layer. The solution of the Poisson equation made it possible to obtain expressions for the active component of the impedance on the surface of the electron and hole semiconductors of gas-sensitive sensors during the adsorption of gas molecules. An experimental dependence of a change in the resistance of a semiconductor gas-sensitive sensor based on ZnO on a change in methane concentration is presented.en
dc.language.isoruru
dc.publisherВНТУuk
dc.relation.ispartofОптоелектронні інформаційно-енеретичні технології. № 2 : 107-112.uk
dc.relation.urihttps://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/560
dc.subjectполупроводниковые сенсоры газаru
dc.subjectгазореактивный эффектru
dc.subjectреактивные свойства полупроводниковru
dc.subjectполное сопротивлениеru
dc.subjectприповерхностный слойru
dc.subjectsemiconductor gas sensorsen
dc.subjectgas-reactive effecten
dc.subjectreactive properties of semiconductorsen
dc.subjectimpedanceen
dc.subjectsurface layeren
dc.titleМатематическое моделирование физического механизма образования объёмного приповерхностного заряда в полупроводниках для интеллектуальных частотных сенсоров концентрации газаru
dc.title.alternativeMathematical modeling of the physical mechanism of the formation of a bulk surface charge in semiconductors for intelligent frequency sensors for gas concentrationen
dc.typeArticle
dc.identifier.udc621.382
dc.relation.referencesМікроелектронні сенсори фізичних величин / за ред. З. Ю. Готри.-Львів: Ліга-Прес, 2002. – 475 с.uk
dc.relation.referencesДатчики: Справочное пособие / Под общ. ред. В.М. Шарапова, Е.С. Полищука. –Москва: Техносфера, 2012. – 624с.ru
dc.relation.referencesДжексон Р.Г. Новейшие датчики / Джексон Р.Г. –Москва: Техносфера, 2007. – 384 с.ru
dc.relation.referencesSchaumburg H. Sensoren / Schaumburg H. – Stuttgart: B.G.Teubner. 1992. – 517 p.en
dc.relation.referencesОсадчук В.С., Осадчук О.В., Прокопова М.О.Математична модель мікроелектронного частотного газового перетворювача // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2003, –№4. – с. 94-98.uk
dc.relation.referencesОсадчук О.В., Осадчук В.С., Осадчук Я.О. Математична модель газореактивного ефекту в напівпровідникових сенсорах газу // Вісник Хмельницького Національного університету. Серія: Технічні науки. Хмельницький, 2019, № 2 (271). –C. 160-166. DOI 10.31891/2307-5732-2019-271-2- 160-166uk
dc.relation.referencesОсадчук О.В. Радіовимірювальний перетворювач концентрації газу на транзисторній структурі з від'ємним опором / Осадчук О.В., Осадчук В.С., Осадчук Я.О. // Матеріали МНТК "Інформаційні технології та комп'ютерне моделювання". м. Івано-Франківськ, 15-20 травня 2017 р. – С.12-15.uk
dc.relation.referencesOsadchuk A. Microelectronic Transducer of Gas Concentration based on MOSFET with an Active Inductive Element / Osadchuk A., Osadchuk V., Seletska O., Krylik L. // PRZEGLAD ELEKTROTECHNICZNY, ISSN 0033-2097, R. 95 NR 4/2019. –P.237-241en
dc.relation.referencesОсадчук В.С. Частотний перетворювач газу на основі двох біполярних транзисторів з активним індуктивним елементом / Осадчук В.С., Осадчук О.В., Прокопова М.О. // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2005, – №2. – С.86-90.uk
dc.relation.referencesHeiland G. Zum Einflus von adsorbiertenm Sanerstoff auf dieelektriesche Leitfahidkeit vonZinkoxidkristallen / Heiland G. – Berlin: Z.phys., 1954. – 459 p.en
dc.relation.referencesБонч-Бруевич В.Л. Физика полупроводников / Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. – М.: Наука,1990. – 688 с.ru
dc.relation.referencesШалимова К.В. Физика полупроводников / Шалимова К.В. –М.: Энергия, 1985. – 392 с.ru
dc.relation.referencesРжанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников / Ржанов А.В. – М.:Наука, 1971. – 480 с.ru
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.31649/1681-7893-2019-38-2-107-112


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record