Радіотехнічні надвисокочастотні генераторні пристрої на основі резонансно-тунельних напівпровідникових структур із від’ємним диференційним опором

Abstract

У роботі наведено результати розроблення та дослідження радіотехнічних надвисокочастотних генераторних пристроїв на основі резонансно-тунельних напівпровідникових структур із від’ємним диференційним опором. Проведено аналіз новітніх НВЧ наноелектронних приладів, таких як резонансно-тунельні діоди та резонансно-тунельні транзистори. Розроблено та досліджено високоефективні НВЧ генератори на основі резонансно-тунельних діодів з високим коефіцієнтом корисної дії, високою потужністю та низьким рівнем фазових шумів, що працюють на частотах близько 30 ГГц та здійснюють переулаштування частотою генерації в діапазоні 29..34 ГГц шляхом зміни напруги керування. Конструкції таких генераторів виконанні за гібридною технологією без застосування хвилеводних елементів. Графічна частина складається з 9 плакатів із результатами моделювання. Також у роботі розроблено розділи економічної частини, охорони праці та безпеки в надзвичайних ситуаціях.

The paper presents the results of the development and research of high-frequency radio engineering generators based on resonant-tunneled semiconductor structures with negative differential resistance. The analysis of the latest microwave nanoelectronic devices, such as resonance tunnel diodes and resonance tunnel transistors, has been performed. High-efficiency microwave generators based on resonant tunneling diodes with a high efficiency, high power, and low phase noise operating at frequencies of about 30 GHz have been developed and studied, and they are tuned with a generation frequency in the range of 29..34 GHz by changing the control voltage. The design of such generators is performed by hybrid technology without the use of waveguide elements. The graphical part consists of 9 posters with simulation results. Also, the sections of the economic part, occupational safety and emergency management are developed.