Дослідження фоточутливих пристроїв на основі квантових ям

Abstract

У маґістерській кваліфікаційній роботі розґлянутий квантовий метод моделювання польових нанотранзисторів на надтонкому (1–5нм) шарі кремнію. Досліджено ефект інтерференції при поздовжньому русі носіїв у короткому ( 5–50нм) каналі польовоґо транзистора, досліджено вплив зарядки окисла на характеристики транзистора з тонким шаром кремнію й малою еквівалентною товщиною підзатворноґо діелектрика. Проведений квантовомеханічний розрахунок подібноґо розсіювання, отримані високі ступені ( 4–6) залежності інтенсивності такоґо розсіювання від товщини шаруючи. Показано, що оптимальними для характеристик транзистора є умови, коли довжина каналу на порядок перевищує товщину шаруючи кремнію. Досліджено вплив матеріалу затвора й підзатворноґо діелектрика на характеристики транзистора. Розрахунки на економічність приладу показали, що йоґо впровадження у виробництво є економічно ефективним. Оскільки Ток < 3…5-ти років, то фінансування даноґо науковоґо дослідження фоточутливих пристроїв на основі квантових ям є доцільним. При запроваджені у виробництво виробник отримає прибуток. Аналізуючи ринок можна розраховувати на значний попит на наш виріб. Підтвердженням цьому є технічні параметри даноґо пристрою, які кращі за параметри аналоґа. В розділі охорони праці були розґлянуті такі питання як безпека в надзвичайних ситуаціях, як технічні рішення з ґіґієни праці та виробничої санітарії, визначення безпечної відстані при оптичному випромінюванні, технічні рішення з промислової та пожежної безпеки при проведенні дослідження радіовимірювальноґо параметричноґо перетворювача оптичноґо випромінювання, безпека у надзвичайних ситуаціях.

In the master's qualification work the quantum method of modeling of field nanotransistors on a superfine (1–5nm) layer of silicon is considered. The effect of interference in the longitudinal motion of carriers in a short (5–50 nm) channel of a field–effect transistor is investigated, the influence of oxide charging on the characteristics of a transistor with a thin layer of silicon and a small equivalent thickness of the gate dielectric is investigated. Quantum mechanical calculation of such scattering is performed, high degrees (4–6) dependence of the intensity of such scattering on the thickness of the layer are obtained. It is shown that the conditions when the channel length is much more than the thickness of the silicon layer are optimal for the characteristics of the transistor. The effect of gate material and gate dielectric on the characteristics of the transistor is investigated. Calculations on the efficiency of the device showed that its introduction into production is cost effective. Since the Current is <3 ... 5 years, it is advisable to fund this scientific study of photosensitive devices based on quantum wells. When introduced into production, the manufacturer will profit. Analyzing the market we can count on a significant demand for our product. Confirmation of this is the technical parameters of this device, which are better than the parameters of the analogue. In the section labor protection covered such issues as safety in emergency situations, such as technical solutions for occupational hygiene and industrial sanitation, determination of safe distance for optical radiation, technical solutions for industrial and fire safety in the study of the radiometric parametric transducer of optical radiation, safety in emergency .