| dc.contributor.author | Осинский, В. И. | uk |
| dc.contributor.author | Деминский, П. В. | uk |
| dc.contributor.author | Ляхова, Н. Н. | uk |
| dc.contributor.author | Моторный, А. П. | uk |
| dc.contributor.author | Масол, И. В. | uk |
| dc.contributor.author | Суховий, Н. О. | uk |
| dc.date.accessioned | 2016-01-15T13:56:59Z | |
| dc.date.available | 2016-01-15T13:56:59Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.identifier.citation | Температурные и концентрационные свойства [Текст] / В. И. Осинский, П. В. Деминский, Н. Н. Ляхова [та ін.] // Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї. - 2012. - № 2. - С. 50-57. | uk |
| dc.identifier.issn | 2311-2662 | |
| dc.identifier.issn | 1681-7893 | |
| dc.identifier.uri | http://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/271 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/3298 | |
| dc.description.abstract | На основании исследований среднеквадратических динамических смещений атомов кристаллической решетки твердых растворов InxGa1-xN, обоснована необходимость использования последних для реализации монолитных Si/AIIIBV RGB источников света в одном технологическом процессе. На базе разработанных гибридно-интегральных RGB, RGBW, RGBO источников света, экспериментально подтверждена целесообразность использования каналов излучения в диапазонах 450-455, 525-535, 600-615 нм для повышения индекса цветопередачи. Предложена методика и разработано программное обеспечение, позволяющее задавать процентное соотношение распределения активных слоев для R, G, B-каналов излучения по поверхности чипа. | ru |
| dc.description.abstract | На основании исследований среднеквадратических динамических смещений атомов кристаллической решетки твердых растворов InxGa1-xN, обоснована необходимость использования последних для реализации монолитных Si/AIIIBV RGB источников света в одном технологическом процессе. На базе разработанных гибридно-интегральных RGB, RGBW, RGBO источников света, экспериментально подтверждена целесообразность использования каналов излучения в диапазонах 450-455, 525-535, 600-615 нм для повышения индекса цветопередачи. Предложена методика и разработано программное обеспечение, позволяющее задавать процентное соотношение распределения активных слоев для R, G, B-каналов излучения по поверхности чипа. | uk |
| dc.language.iso | ru_RU | ru_RU |
| dc.publisher | ВНТУ | uk |
| dc.subject | RGB | uk |
| dc.subject | источник белого света | ru |
| dc.subject | InxGa1-xN | en |
| dc.subject | индекс цветопередачи | ru |
| dc.subject | Si | en |
| dc.subject | AIIIBV | en |
| dc.title | Температурные и концентрационные свойства | ru |
| dc.title.alternative | Температурные и концентрационные свойства | ru |
| dc.type | Article | |
| dc.identifier.udc | 621.315.592.2 | |
