Show simple item record

dc.contributor.authorОсинский, В. И.uk
dc.contributor.authorДеминский, П. В.uk
dc.contributor.authorЛяхова, Н. Н.uk
dc.contributor.authorМоторный, А. П.uk
dc.contributor.authorМасол, И. В.uk
dc.contributor.authorСуховий, Н. О.uk
dc.date.accessioned2016-01-15T13:56:59Z
dc.date.available2016-01-15T13:56:59Z
dc.date.issued2012
dc.identifier.citationТемпературные и концентрационные свойства [Текст] / В. И. Осинский, П. В. Деминский, Н. Н. Ляхова [та ін.] // Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї. - 2012. - № 2. - С. 50-57.uk
dc.identifier.issn2311-2662
dc.identifier.issn1681-7893
dc.identifier.urihttp://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/271
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/3298
dc.description.abstractНа основании исследований среднеквадратических динамических смещений атомов кристаллической решетки твердых растворов InxGa1-xN, обоснована необходимость использования последних для реализации монолитных Si/AIIIBV RGB источников света в одном технологическом процессе. На базе разработанных гибридно-интегральных RGB, RGBW, RGBO источников света, экспериментально подтверждена целесообразность использования каналов излучения в диапазонах 450-455, 525-535, 600-615 нм для повышения индекса цветопередачи. Предложена методика и разработано программное обеспечение, позволяющее задавать процентное соотношение распределения активных слоев для R, G, B-каналов излучения по поверхности чипа.ru
dc.description.abstractНа основании исследований среднеквадратических динамических смещений атомов кристаллической решетки твердых растворов InxGa1-xN, обоснована необходимость использования последних для реализации монолитных Si/AIIIBV RGB источников света в одном технологическом процессе. На базе разработанных гибридно-интегральных RGB, RGBW, RGBO источников света, экспериментально подтверждена целесообразность использования каналов излучения в диапазонах 450-455, 525-535, 600-615 нм для повышения индекса цветопередачи. Предложена методика и разработано программное обеспечение, позволяющее задавать процентное соотношение распределения активных слоев для R, G, B-каналов излучения по поверхности чипа.uk
dc.language.isoru_RUru_RU
dc.publisherВНТУuk
dc.subjectRGBuk
dc.subjectисточник белого светаru
dc.subjectInxGa1-xNen
dc.subjectиндекс цветопередачиru
dc.subjectSien
dc.subjectAIIIBVen
dc.titleТемпературные и концентрационные свойстваru
dc.title.alternativeТемпературные и концентрационные свойстваru
dc.typeArticle
dc.identifier.udc621.315.592.2


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record