Показати скорочену інформацію

dc.contributor.authorОсадчук, Я. О.uk
dc.date.accessioned2021-11-15T10:59:09Z
dc.date.available2021-11-15T10:59:09Z
dc.date.issued2021
dc.identifier.citationОсадчук Я. О. Оптичний сенсор на основі резонансно-тунельного діода [Електронний ресурс] / Я. О. Осадчук // Матеріали Міжнародної науково-практичної конференції "Сучасні проблеми інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем (СПІРН-2021)", 3-5 листопада 2021 р. – Вінниця, 2021. – Режим доступу: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/spirn/spirn2021/paper/view/13732.uk
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/34012
dc.description.abstractВ роботі показано можливість використання тунельно-резонансного діода як оптичного сенсора з частотним вихідним сигналом. Тунельно-резонансний діод створено на основі квантової двобар`єрної гетероструктури, що характеризує існування від`ємного диференційного опору в діоді і його надвисокочастотні властивості у всьому діапазоні радіочастот. Отже, діод виступає як первинний сенсор оптичної потужності, так і як надвисокочастотний автогенератор із зовнішньою LC-структурою. Це значно спрощує конструкцію оптичного сенсора. Використання принципу перетворення «оптичний сигнал-частота» дозволяє суттєво покращити метрологічні показники приладу.uk
dc.description.abstractThe paper shows the possibility of using a tunnel resonance diode as an optical sensor with a frequency output signal. The tunnel resonance diode is based on a quantum two-barrier heterostructure, which characterizes the existence of negative differential resistance in the diode and its ultrahigh-frequency properties throughout the radio frequency range. Thus, the diode acts as a primary optical power sensor and as an ultra-high-frequency autogenerator with an external LC structure. This greatly simplifies the design of the optical sensor. The use of the principle of conversion "optical signal-frequency" can significantly improve the metrological performance of the device.en
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherВНТУuk
dc.relation.ispartofМатеріали Міжнародної науково-практичної конференції "Сучасні проблеми інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем (СПІРН-2021)", 3-5 листопада 2021 р.uk
dc.relation.urihttps://conferences.vntu.edu.ua/index.php/spirn/spirn2021/paper/view/13732
dc.subjectтунельно-резонансний діодuk
dc.subjectдіодuk
dc.subjectквантова гетероструктураuk
dc.subjectчастотаuk
dc.subjectвід’ємний диференційний опірuk
dc.subjecttunnel resonance diodeen
dc.subjectquantum heterostructureen
dc.subjectfrequencyen
dc.subjectnegative differential resistanceen
dc.titleОптичний сенсор на основі резонансно-тунельного діодаuk
dc.typeThesis
dc.identifier.udc621.382
dc.relation.referencesДжексон Р.Г. Новейшие датчики. –Москва: Техносфера, 2007. – 384 с.ru
dc.relation.referencesДж. Фрайден. Современные датчики. Справочник.– Москва: Техносфера, 2005. - 592 с.ru
dc.relation.referencesOptical Sensors. Industrial Environmental and Diagnostic Applications. Ramaier Narayanaswamy Otto S. Wolfbeis. SpringerVerlag Berlin Heidelberg 2004. – 423 p.en
dc.relation.referencesV.S. Osadchuk, A.V. Osadchuk. Radiomeasuring Microelectronic Transducers of Physical Quantities // Proceedings of the 2015 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). 21-23 May 2015. Omsk. DOI: 10.1109/SIBCON.2015.7147167en
dc.relation.referencesA.V.Osadchuk, V.S. Osadchuk, I.O. Osadchuk, N.V. Titova, O.Yu. Pinaeva, Piotr Kisała, Saule Rakhmetullina, Aliya Kalizhanova, Zhanar Azeshova. Optical-frequency gas flow meter on the basis of transistor structures with negative differential resistance // Proc. SPIE 11456, Optical Fibers and Their Applications 2020, 114560F (12 June 2020); –P.74-81. https://doi.org/10.1117/12.2569771en
dc.relation.referencesHalimatus Saadiah, Warsuzarina Mat Jubadi, Nabihah Ahmad, M. Hairol Jabbar. Resonant Tunneling Diode Design for Oscillator Circuit. International Postgraduate Conference. Physics 2017. pp.1-8.en
dc.relation.referencesHartmann F.; Langer F; Bisping D.; Musterer A.; Hofling S.; Kamp M.; Forchel A.; Worschech L.; GaAs/AlGaAs resonant tunneling diodes with a GaInNAS absorption layer for telecommunication light sensing. Appl. Lett. 2012, 100. 172113.en
dc.relation.referencesOsadchuk A.V., Osadchuk V.S., Osadchuk I.A., Maksat Kolimoldayev, Paweł Komada, Kanat Mussabekov. Optical transducers with frequency output. Proc. SPIE 10445, Photonics Applications in Astronomy, Communications, Industry, and High Energy Physics Experiments, 2017, 104451X (2017).en
dc.relation.referencesОсадчук О.В., Осадчук В.С., Осадчук Я.О. Дослідження реактивних властивостей тунельно-резонансного діода // Вісник Хмельницького національного університету. Том 1. №4, 2020 (287). –С.160-167.uk


Файли в цьому документі

Thumbnail

Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)

Показати скорочену інформацію