dc.contributor.author | Осадчук, О. В. | uk |
dc.contributor.author | Осадчук, В. С. | uk |
dc.contributor.author | Осадчук, Я. О. | uk |
dc.contributor.author | Osadchuk, A. V. | en |
dc.contributor.author | Osadchuk, V. S. | en |
dc.contributor.author | Osadchuk, Ya. A. | en |
dc.date.accessioned | 2021-11-17T08:46:57Z | |
dc.date.available | 2021-11-17T08:46:57Z | |
dc.date.issued | 2020 | |
dc.identifier.citation | Осадчук О. В. Дослідження генератора електричних коливань на основі тунельно-резонансного діода [Текст] / О. В. Осадчук, В. С. Осадчук, Я. О. Осадчук // Вчені записки Таврійського національного університету ім. В.І.Вернадського. Серія "Технічні науки". – 2020. – Т. 31 (70), № 4. – С. 279-286. | uk |
dc.identifier.issn | 2663-5941 | |
dc.identifier.issn | 2663-595X | |
dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/34174 | |
dc.description.abstract | На основі повної еквівалентної схеми тунельно-резонансного діода, яка враховує його ємнісні та індуктивні властивості, складено диференційне рівняння другого порядку, що описує фізичні процеси
в коливальній системі генератора. Розв`язок рівняння дав змогу отримати аналітичну залежність вихідної змінної напруги генератора від часу, а також умови виконання стабільних синусоїдальних
коливань у системі. Визначено залежність резонансної частоти від параметрів схеми і режимів живлення, а також аналітичну залежність частоти, при якій у коливальній системі генератора повністю
компенсуються втрати енергії завдяки від`ємному диференційному опору. Показано, що резонансна частота генератора змінюється на ділянці від`ємного диференційного опору від 12·109Гц до 1,8·109Гц,
що пояснюється сумісним впливом зміни від`ємного диференційного опору, власних ємності та індуктивності тунельно-резонансного діода. | uk |
dc.description.abstract | Based on the full equivalent circuit of the tunnel resonance diode, which takes into account its capacitive
and inductive properties, a second-order differential equation is described that describes the physical
processes in the oscillatory system of the generator. The solution of the equation made it possible to obtain
the analytical dependence of the output alternating voltage of the generator on time, as well as the conditions
for stable sinusoidal oscillations in the system. The dependence of the resonant frequency on the parameters
of the circuit and power modes, as well as the analytical dependence of the frequency at which energy losses
due to negative differential resistance in the oscillator system are completely compensated, are determined.
It is shown that the resonant frequency of the generator varies in the region of negative differential resistance
from 12·109 Hz to 1.8·109 Hz, which is explained by the combined influence of changes in negative differential
resistance, intrinsic capacitance, and inductance of the tunnel resonance diode. The use of devices with
negative differential resistance can significantly simplify the design of generators of electrical oscillations in
the entire range of radio frequencies. Moreover, on the basis of a specific circuitry solution, depending on the
operating modes, it is possible to implement both harmonic oscillation generators and special-shape pulse
oscillators. The study of the characteristics of microwave generators based on tunnel resonance diodes is
based on an equivalent circuit, it does not completely take into account the inductive component of the diode,
although this component exists under any operating conditions, since the current that flows through the device
is always delayed in relation to the voltage that caused it, which corresponds to the inductive reaction of the
tunnel resonance diode. The electric oscillation generator is based on a tunnel resonance diode, the currentvoltage characteristic of which has a complex section corresponding to the existence of differential negative
resistance in this section. The descending section occurs due to a decrease in the current passing through
the double-barrier quantum heterostructure, due to a decrease in the transparency coefficient of potential
barriers, due to an increase in the electron energy with an increase in the applied voltage compared to the
energy resonance level. | en |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | Таврійський національний університет імені В. І. Вернадського | uk |
dc.relation.ispartof | Вчені записки Таврійського національного університету ім. В.І.Вернадського. Серія "Технічні науки". Т. 31 (70), № 4 : 279-286. | uk |
dc.subject | генератор | uk |
dc.subject | тунельно-резонансний діод | uk |
dc.subject | частота | uk |
dc.subject | від`ємний диференційний опір | uk |
dc.subject | гетероструктура | uk |
dc.subject | наноелектронна структура | uk |
dc.subject | generator | en |
dc.subject | tunnel resonance diode | en |
dc.subject | frequency | en |
dc.subject | negative differential resistance | en |
dc.subject | heterostructure | en |
dc.subject | nanoelectronic structure | en |
dc.title | Дослідження генератора електричних коливань на основі тунельно-резонансного діода | uk |
dc.title.alternative | Investigation of the generator electrical fluctuations on the basis of a resonant tunneling diode | en |
dc.type | Article | |
dc.identifier.udc | 621.382 | |
dc.identifier.doi | 10.32838/2663-5941/2020.4/42 | |