Мікроелектронний тензометричний перетворювач

Abstract

The paper analyzes modern achievements in the field of microelectronic strain-sensitive transducers. The physical mechanism of pressure action on semiconductors is investigated. The metrological parameters of strain-sensitive pressure transducers are estimated.

У роботі здійснено аналіз сучасних досягнень в області мікроелектронних тензочутливих перетворювачів. Досліджено фізичний механізм дії тиску на напівпровідники. Виконано оцінювання метрологічних параметрів тензочутливих перетворювачів тиску