Показати скорочену інформацію

dc.contributor.authorМельничук, С. І.uk
dc.contributor.authorОбертюх, М. Р.uk
dc.contributor.authorМуращенко, О. Г.uk
dc.date.accessioned2024-06-14T07:37:46Z
dc.date.available2024-06-14T07:37:46Z
dc.date.issued2023
dc.identifier.citationМельничук С. І. Термокомпенсовані джерела постійного струму для струмових ЦАП [Електронний ресурс] / С. І. Мельничук, М. Р. Обертюх, О. Г. Муращенко // Наукові праці ВНТУ. – 2023. – № 2. – Режим доступу: https://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/689.uk
dc.identifier.issn2307-5376
dc.identifier.urihttps://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/42756
dc.description.abstractДжерела опорної напруги та опорного струму є невід'ємною частиною будь-яких електронних схем. Особливо важливу роль джерела опорної напруги та струму грають в аналогових схемах, від них залежать багато кількісних параметрів роботи схем. Наприклад в аналого-цифрових та цифро-аналогових перетворювачах значення повної шкали визначається опорним джерелом напруги. Сьогодні існує досить багато різноманітних підходів щодо побудови схем джерел постійного струму. Класичним варіантом побудови джерел опорної напруги є використання стабілітрону та ефектів зенеровського (тонельного) і лавинного пробоїв у ньому при зворотній напрузі зміщення. Зенеровский пробій відбувається за напруги менше п'яти вольт і має негативний температурний коефіцієнт, лавинний пробій відбувається при вищих напругах і має позитивний температурний коефіцієнт. За напруги пробою в діапазоні від п'яти до восьми вольт його сумарний позитивний ТКН дорівнює приблизно негативному ТКН діода, зміщеного в прямому напрямку. Джерела опорної напруги, визначаються напругою забороненої зони кремнію (бандгапи), забезпечують хороший ТКН при низьких напругах живлення. У схемі для досягнення термокомпенсації використовуються узгоджені транзистори з різницею в щільності струмів, що протікають через них. Метод формування опорної напруги забороненої зони привабливий для реалізації через порівняльну простоту, і низький рівень шумів. В статті запропоновано новий підхід до побудови термостабільних джерел опорного струму на основі біполярних транзисторів з використанням напруги забороненої зони напівпровідника та струмових дзеркал. В роботі здійснено схемотехнічний аналіз статичних характеристик запропонованих схем термокомпенсованих двополюсних джерел постійного струму кільцевого типу у заданому діапазоні температур та проаналізовані принципи завдяки яким досягається термокомпенсація. Здійснене комп’ютерне моделювання статичних характеристик вказаних генераторів опорного струму, таких як температурний дрейф струму, а також коефіцієнта стабілізації за зміни напруги живлення (навантажувальна здатність).uk
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherВНТУuk
dc.relation.ispartofНаукові праці ВНТУ. № 2.uk
dc.relation.urihttps://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/689
dc.subjectсхемотехнічне моделюванняuk
dc.subjectтермостабільністьuk
dc.subjectкомпенсаціяuk
dc.subjectгенератор опорного струмуuk
dc.titleТермокомпенсовані джерела постійного струму для струмових ЦАПuk
dc.typeArticle
dc.identifier.udc621.3
dc.relation.referencesSze Simon M. Physics of Semiconductor Devices / Simon M. Sze. – Great Britain : Wiley, 2021. – 944 p.en
dc.relation.referencesAlan B. Grebene Bipolar and MOS analog integrated circuit design / B. Alan. – New Jersey : John Wiley & Sons Technology & Industrial Arts, 2002. – 912 p.en
dc.relation.referencesR. van der Plassche. CMOS integrated analog-to-digital and digital-to-analog converters. 2nd Edition / R. van der Plassche. – Dordrecht, The Netherlands : Kluwer Academic Publishers, 2003. – 588 p.en
dc.relation.referencesHarrison L. T. Current Sources & Voltage References / L. T. Harrison. – Burlington, USA : Newnes, 2005. – 621 p.en
dc.relation.referencesАзаров О. Д. Термокомпенсовані двополюсні джерела постійного струму кільцевого типу / О. Д. Азаров, В. А. Гарнага, М. Р. Обертюх // Вісник вінницького політехнічного інституту. – 2017. – № 1 (130). – С. 78 – 84.uk
dc.relation.referencesАзаров О. Д. Джерело опорної напруги на основі генератора термостабільного струму / О. Д. Азаров, В. А. Гарнага, М. Р. Обертюх // Інформаційні технології та комп’ютерна інженерія. – 2017. – № 1 (38). – С. 41 – 47.uk
dc.relation.referencesLee T. C. The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits / T. C. Lee. – Cambridge University Press, 2004. – 797 p. – ISBN 9780521835398.en
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.31649/2307-5376-2023-2-19-27


Файли в цьому документі

Thumbnail

Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)

Показати скорочену інформацію