dc.contributor.author | Мельничук, С. І. | uk |
dc.contributor.author | Обертюх, М. Р. | uk |
dc.contributor.author | Муращенко, О. Г. | uk |
dc.date.accessioned | 2024-06-14T07:37:46Z | |
dc.date.available | 2024-06-14T07:37:46Z | |
dc.date.issued | 2023 | |
dc.identifier.citation | Мельничук С. І. Термокомпенсовані джерела постійного струму для струмових ЦАП [Електронний ресурс] / С. І. Мельничук, М. Р. Обертюх, О. Г. Муращенко // Наукові праці ВНТУ. – 2023. – № 2. – Режим доступу: https://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/689. | uk |
dc.identifier.issn | 2307-5376 | |
dc.identifier.uri | https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/42756 | |
dc.description.abstract | Джерела опорної напруги та опорного струму є невід'ємною частиною будь-яких електронних схем. Особливо важливу роль джерела опорної напруги та струму грають в аналогових схемах, від них залежать багато кількісних параметрів роботи схем. Наприклад в аналого-цифрових та цифро-аналогових перетворювачах значення повної шкали визначається опорним джерелом напруги. Сьогодні існує досить багато різноманітних підходів щодо побудови схем джерел постійного струму. Класичним варіантом побудови джерел опорної напруги є використання стабілітрону та ефектів зенеровського (тонельного) і лавинного пробоїв у ньому при зворотній напрузі зміщення. Зенеровский пробій відбувається за напруги менше п'яти вольт і має негативний температурний коефіцієнт, лавинний пробій відбувається при вищих напругах і має позитивний температурний коефіцієнт. За напруги пробою в діапазоні від п'яти до восьми вольт його сумарний позитивний ТКН дорівнює приблизно негативному ТКН діода, зміщеного в прямому напрямку. Джерела опорної напруги, визначаються напругою забороненої зони кремнію (бандгапи), забезпечують хороший ТКН при низьких напругах живлення. У схемі для досягнення термокомпенсації використовуються узгоджені транзистори з різницею в щільності струмів, що протікають через них. Метод формування опорної напруги забороненої зони привабливий для реалізації через порівняльну простоту, і низький рівень шумів. В статті запропоновано новий підхід до побудови термостабільних джерел опорного струму на основі біполярних транзисторів з використанням напруги забороненої зони напівпровідника та струмових дзеркал. В роботі здійснено схемотехнічний аналіз статичних характеристик запропонованих схем термокомпенсованих двополюсних джерел постійного струму кільцевого типу у заданому діапазоні температур та проаналізовані принципи завдяки яким досягається термокомпенсація. Здійснене комп’ютерне моделювання статичних характеристик вказаних генераторів опорного струму, таких як температурний дрейф струму, а також коефіцієнта стабілізації за зміни напруги живлення (навантажувальна здатність). | uk |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | ВНТУ | uk |
dc.relation.ispartof | Наукові праці ВНТУ. № 2. | uk |
dc.relation.uri | https://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/689 | |
dc.subject | схемотехнічне моделювання | uk |
dc.subject | термостабільність | uk |
dc.subject | компенсація | uk |
dc.subject | генератор опорного струму | uk |
dc.title | Термокомпенсовані джерела постійного струму для струмових ЦАП | uk |
dc.type | Article | |
dc.identifier.udc | 621.3 | |
dc.relation.references | Sze Simon M. Physics of Semiconductor Devices / Simon M. Sze. – Great Britain : Wiley, 2021. – 944 p. | en |
dc.relation.references | Alan B. Grebene Bipolar and MOS analog integrated circuit design / B. Alan. – New Jersey : John Wiley & Sons Technology & Industrial Arts, 2002. – 912 p. | en |
dc.relation.references | R. van der Plassche. CMOS integrated analog-to-digital and digital-to-analog converters. 2nd Edition / R. van der Plassche. – Dordrecht, The Netherlands : Kluwer Academic Publishers, 2003. – 588 p. | en |
dc.relation.references | Harrison L. T. Current Sources & Voltage References / L. T. Harrison. – Burlington, USA : Newnes, 2005. – 621 p. | en |
dc.relation.references | Азаров О. Д. Термокомпенсовані двополюсні джерела постійного струму кільцевого типу / О. Д. Азаров, В. А. Гарнага, М. Р. Обертюх // Вісник вінницького політехнічного інституту. – 2017. – № 1 (130). – С. 78 – 84. | uk |
dc.relation.references | Азаров О. Д. Джерело опорної напруги на основі генератора термостабільного струму / О. Д. Азаров, В. А. Гарнага, М. Р. Обертюх // Інформаційні технології та комп’ютерна інженерія. – 2017. – № 1 (38). – С. 41 – 47. | uk |
dc.relation.references | Lee T. C. The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits / T. C. Lee. – Cambridge University Press, 2004. – 797 p. – ISBN 9780521835398. | en |
dc.identifier.doi | https://doi.org/10.31649/2307-5376-2023-2-19-27 | |