Розподіл концентрації інжектованих носіїв заряду в базовій області при дії магнітного поля в біполярних магніточутливих структурах
| dc.contributor.author | Осадчук, В. С. | uk |
| dc.contributor.author | Осадчук, О. В. | uk |
| dc.date.accessioned | 2016-01-21T11:33:17Z | |
| dc.date.available | 2016-01-21T11:33:17Z | |
| dc.date.issued | 2011 | |
| dc.identifier.citation | Осадчук В. С. Розподіл концентрації інжектованих носіїв заряду в базовій області при дії магнітного поля в біполярних магніточутливих структурах [Електронний ресурс] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. - 2011. - № 3. - Режим доступу : http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/289. | uk |
| dc.identifier.issn | 2307-5376 | |
| dc.identifier.uri | http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/289 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/4667 | |
| dc.description.abstract | Показано вплив магнітного поля на розподіл концентрації носіїв заряду в базовій області біполярних магніточутливих структурах. Отримано теоретичні залежності параметрів біполярних транзисторів з урахуванням цього впливу. | uk |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | ВНТУ | uk |
| dc.subject | магнітне поле | uk |
| dc.subject | сенсори | uk |
| dc.subject | біполярний транзистор | uk |
| dc.title | Розподіл концентрації інжектованих носіїв заряду в базовій області при дії магнітного поля в біполярних магніточутливих структурах | uk |
| dc.type | Article | |
| dc.identifier.udc | 681.382 |
Файли в цьому документі
Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)
-
Наукові праці ВНТУ. 2011. № 3 [17]
-
Наукові роботи каф. ІРТС [778]
статті, матеріали конференцій