Show simple item record

dc.contributor.authorЛебедь, О. М.uk
dc.date.accessioned2016-01-21T11:53:28Z
dc.date.available2016-01-21T11:53:28Z
dc.date.issued2013
dc.identifier.citationЛебедь О. М. Фізичні механізми формування структури епітаксійних шарів монокристалів gaas під час вирощування з рідкої фази [Електронний ресурс] / О. М. Лебедь // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. - 2013. - № 2. - Режим доступу : http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/365.uk
dc.identifier.issn2307-5376
dc.identifier.urihttp://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/365
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/4753
dc.description.abstractРозроблено технологічні режими зниження щільності дислокацій в епітаксійних шарах (ЕШ) арсеніду галію під час використання ізовалентного металу-розчинника вісмуту, які дозволяють стабілізувати фронт кристалізації. Розглянуто та проаналізовано механізми, що відповідають за зміну структури ЕШ.uk
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherВНТУuk
dc.subjectарсенід галіюuk
dc.subjectепітаксійний шарuk
dc.subjectвісмутuk
dc.subjectдислокаціїuk
dc.subjectфронт кристалізаціїuk
dc.titleФізичні механізми формування структури епітаксійних шарів монокристалів gaas під час вирощування з рідкої фазиuk
dc.typeArticle
dc.identifier.udc539.23:532.78


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record