Показати скорочену інформацію

dc.contributor.authorОсадчук, В. С.uk
dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.contributor.authorІльченко, О. М.uk
dc.contributor.authorБарабан, С. В.uk
dc.date.accessioned2016-01-26T14:36:51Z
dc.date.available2016-01-26T14:36:51Z
dc.date.issued2008
dc.identifier.citationФотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітлення каналу [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, О. М. Ільченко, С. В. Барабан // Вісник Вінницького політехнічного інституту. - 2008. - № 4. - С. 92-98.uk
dc.identifier.issn1997-9274
dc.identifier.issn1997-9266
dc.identifier.urihttp://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/626
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/5833
dc.description.abstractПроведено аналіз фотореактивного ефекту в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу на основі розв'язку рівняння перенесення носіїв заряду в каналі транзистора при дії світла, що дало можливість теоретично розрахувати повний опір каналу і отримати аналітичну залежність його складових від потужності оптичного випромінювання.uk
dc.description.abstractПроведен анализ фотореактивного эффекта в МДП-транзисторных структурах с двусторонним освещением канала на основе решения уравнение непрерывности носителей заряда в канале транзистора при воздействии света, что дало возможность теоретически рассчитать полное сопротивление канала и получить аналитическую зависимость его составляющих от мощности оптического излучения.ru
dc.description.abstractThe analysis of photoreactive effect in the field-effect transistor structures with bilateral illumination of the channel on the basis of the solution of equation of continuity of charge transmitters in the channel of transistor under the influence of light is conducted. It enabled the possibility to calculate in theoretically complete resistance of the channel and obtain analytical dependence of its constituents on power of optical radiation.en
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherВНТУuk
dc.titleФотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітлення каналуuk
dc.title.alternativeThe photoreactive effect in the field-effect transistor structures with bilateral illumination of the channelen
dc.title.alternativeФотореактивный эффект в МДН-транзисторных структурах с двухсторонним освещением каналаru
dc.typeArticle
dc.identifier.udc621.383.8


Файли в цьому документі

Thumbnail

Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)

Показати скорочену інформацію