Вологочутливий двозатворний МДН-транзистор

Abstract

Розроблено структуру і проведено математичне моделювання двозатворного вологочутливого МДН-транзистора з чутливим шаром з пористого кремнію, на основі якого отримано аналітичну залежність повного опору структури, а також графічні залежності активної, реактивної складових повного опору та ємності структури від зміни вологості навколишнього середовища. В діапазоні відносної вологості від 10 до 90 % ємність структури змінюється від 200 до 700 мкФ.Разработана структура и проведено математическое моделирование двухзатворного влагочувствительного МДП-транзистора с чувствительным слоем из пористого кремния, на основе которого получена аналитическая зависимость полного сопротивления структуры, а также графические зависимости активной, реактивной составляющих полного сопротивления и емкости структуры от изменения влажности окружающей среды. В диапазоне относительной влажности от 10 до 90 % емкость структуры изменяется от 200 до 700 мкФ.The paper deals with the structure and mathematical modeling of dual-gate humidity-sensitive MIS-transistor based on porous silicon oxide. Authors received analytical dependence of the impedance of the structure and graphic dependences of active and reactive component impedance and capacities of the structure with changes of ambient humidity. In the range of relative humidity from 10 to 90% capacity of the structure varies from 200 to 700 uF.