Моделювання впливу струму витікання в логарифмічних АЦП з накопиченням заряду з імпульсним від’ємним зворотним зв’язком
Вантажиться...
Файли
Дата
Науковий керівник
Редактор
Інші учасники
Відповідальний
ORCID
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Альтернативна назва
Simulation of leakage current influence in logarithmic ADC charge storage with pulse negative feedback
Моделирование воздействия тока утечки в логарифмических АЦП с накоплением заряда с импульсной отрицательной обратной связью
Моделирование воздействия тока утечки в логарифмических АЦП с накоплением заряда с импульсной отрицательной обратной связью
Анотація
Запропоновано математичні моделі похибок від струмів витікання в логарифмічних АЦП з накопиченням заряду з імпульсним зворотним зв‘язком, наведено результати моделювання та дано оцінку точності.
Предложены математические модели погрешностей от токов утечки логарифмических АЦП с накоплением заряда с импульсной обратной связью, приведены результаты моделирования и дана оценка точности.
Mathematical models of errors of leakage currents in logarithmic ADC, based on accumulation of a charge and pulse feedback are offered, the results of modelling are presented and the evaluation of accuracy are given.
Предложены математические модели погрешностей от токов утечки логарифмических АЦП с накоплением заряда с импульсной обратной связью, приведены результаты моделирования и дана оценка точности.
Mathematical models of errors of leakage currents in logarithmic ADC, based on accumulation of a charge and pulse feedback are offered, the results of modelling are presented and the evaluation of accuracy are given.
Опис
Ключові слова
Тип документа
Мова
Є частиною
Посилання на публікацію
Серія, номер
ISBN
ББК
Інші ідентифікатори
Пов’язані матеріали
Спонсорська підтримка
Правовласник
Бібліографічний опис
Мичуда З. Р. Моделювання впливу струму витікання в логарифмічних АЦП з накопиченням заряду з імпульсним від’ємним зворотним зв’язком [Текст] / З. Р. Мичуда, Л. З. Мичуда, У. С. Антонів // Вісник Вінницького політехнічного інституту. - 2011. - № 5. - С. 164-166.