Радіовимірювальний сенсор тиску з частотним виходом на основі двоколекторного тензотранзистора
Автор
Осадчук, В. С.
Осадчук, О. В.
Осадчук, Я. О.
Осадчук, А. В.
Осадчук, Я. А.
Osadchuk, V. S.
Osadchuk, O. V.
Osadchuk, Ya. O.
Дата
2015Metadata
Показати повну інформаціюCollections
Анотації
Запропонована конструкція радіовимірювального мікроелектронного сенсора тиску з частотним вихідним сигналом, яка складається з біполярного двоколекторного тензотранзистора і двозатвор-ного польового транзистора, що утворюють автогенераторний пристрій. На основі розв’язку рів-няння коливальної системи автогенераторного пристрою сенсора отримано функцію перетворення, що описує залежність резонансної частоти від тиску, та рівняння чутливості. Чутливість сенсора тиску лежить в діапазоні від 1,12 кГц/кПа до 0,65 кГц/кПа. Предложена конструкция радиоизмерительного микроэлектронного сенсора давления с частотным выход-
ным сигналом, состоящая из биполярного двухколлекторного тензотранзистора и двухзатворного полевого
транзистора, которые образуют автогенераторное устройство. На основе решения уравнения колебательной
системы автогенераторного сенсорного устройства получена функция преобразования, описывающая зависи-
мость резонансной частоты от давления, и уравнение чувствительности. Чувствительность сенсора давле-
ния находится в диапазоне от 1,12 кГц/кПа до 0,65 кГц/кПа. The design of radio-measuring microelectronic sensor of pressure with a frequency output, which consists of two collector
bipolar tenzotransistors and two gate field-effect transistor, which constitute autogenerating device. On the basis of solutions
of oscillatory system of autogenerating sensor device the conversion function is obtained, which describes the dependence
of the resonance frequency of the pressure, and the equation of sensitivity. The sensitivity of the pressure sensor is in
the range of 1.12 kHz/kPa to 0.65 kHz/kPa.
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/8392
http://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/803
Відкрити
Пов'язані елементи
Showing items related by title, author, creator and subject.
-
Мікроелектронний пристрій для вимірювання тиску
Осадчук, Олександр Володимирович; Осадчук, Володимир Степанович; Осадчук, Ярослав Олександрович; Осадчук, Александр Владимирович; Осадчук, Владимир Степанович; Осадчук, Ярослав Александрович; Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych; Osadchuk, Volodymyr Stepanovych (Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2017-01-25)Мікроелектронний пристрій для вимірювання тиску, який містить джерело постійної напруги, вісім резисторів, загальну шину, два конденсатора та дві вихідні клеми, введені двостоковий тензочутливий МОН-транзистор, двозатворний ... -
Сенсор малих тисків
Осадчук, Олександр Володимирович; Осадчук, Володимир Степанович; Осадчук, Ярослав Олександрович; Червак, Оксана Петрівна; Осадчук, Александр Владимирович; Осадчук, Владимир Степанович; Осадчук, Ярослав Александрович; Osadchyk, Oleksandr Volodymyrovych; Osadchyk, Volodymyr Stepanovych; Osadchuk, Yaroslav Oleksandrovych (Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2017-05-25)Сенсор малих тисків, який містить напівпровідниковий тензодіод, загальну шину, дві клеми, джерело постійної напруги, ємність, індуктивність, три резистори, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний із першим ... -
Мікроелектронний перетворювач малих тисків
Осадчук, Олександр Володимирович; Осадчук, Володимир Степанович; Осадчук, Ярослав Олександрович; Осадчук, Александр Владимирович; Осадчук, Владимир Степанович; Осадчук, Ярослав Александрович; Osadchyk, Oleksandr Volodymyrovych; Osadchyk, Volodymyr Stepanovych; Osadchuk, Yaroslav Oleksandrovych (Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2017-06-12)Мікроелектронний перетворювач малих тисків, який містить напівпровідниковий тензодіод, загальну шину, дві клеми, джерело постійної напруги, ємність, індуктивність, чотири резистори, причому перший полюс джерела постійної ...