Моделювання імпедансу ділянки "витік-стік" двозатворного МДН-транзистора при дії температури

Abstract

В роботі представлено математичні моделі впливу температури на імпеданс ділянки "витікстік" двозатворного МДН транзистора. В моделях враховуються поверхневі стани та реактивні властивості зазначених структур. Проведено аналіз фізичних процесів на поверхні та в об`ємі каналу двозатворного МДН транзистора, отримано функціональні залежності імпедансу реактивного МДН транзистора від температури навколишнього середовища в широкій смузі частот для різних зміщень на затворах.

The paper presents the mathematical model the effect of temperature on the impedance region "source­drain" of the two gate MOSFET. The models take into account the surface states on the reactive properties of these structures. The analysis of physical processes on the surface and in the two channel MOSFET gate obtained