Запам’ятовуючий пристрій на базі аморфних напівпровідників

Abstract

У даній праці пропонується використати комірку пам’яті на базі аморфного напівпровідника і транзистора, емітер якого також виготовлений із аморфного напівпровідника. Це підвищує радіаційну стійкість комірки пам’яті. Також це може дати можливість будувати матриці пам’яті для трійкової логіки.

In this science work is proposed to use the memory cell based on amorphous semiconductor and transistor, which has emitter is also made of amorphous semiconductor. This increases the radiation resistance of memory cell. It can also give the opportunity to build a matrix memory for ternary logic.