Analysis of the stability of a cmos temperature sensor under temperature and power-supply variations

Abstract

The paper considers the problem of stability of CMOS temperature sensors under variations in temperature and supply voltage. A critical analysis of existing methods (SPICE modeling, PTAT/CTAT models, Monte Carlo analysis, calibration, and statistical approaches) is performed, and their limitations are identified, in particular, insufficient consideration of nonlinear effects, noise, and the multifactorial influence of external conditions. A mathematical model is proposed taking into account linear, quadratic, and mixed dependencies, which allows quantitatively assessing the sensitivity and stability of the sensor. The results obtained are of practical importance for creating highly reliable CMOS sensors in industrial, automotive, and aviation applications.

У роботі розглянуто проблему стабільності CMOS-сенсорів температури при варіаціях температури та напруги живлення. Виконано критичний аналіз існуючих методів (SPICE- моделювання, PTAT/CTAT-моделі, Монте-Карло аналіз, калібрування, статистичні підходи) та визначено їхні обмеження, зокрема недостатнє врахування нелінійних ефектів, шумів і багатофакторного впливу зовнішніх умов. Запропоновано математичну модель з урахуванням лінійних, квадратичних та змішаних залежностей, що дозволяє кількісно оцінити чутливість і стабільність сенсора. Отримані результати мають практичне значення для створення високонадійних CMOS-сенсорів у промислових, автомобільних та авіаційних застосуваннях.