Моделювання імпедансу ділянки "витік-стік" двозатворного МДН-транзистора при дії температури

Abstract

В роботі представлено математичні модемі впливу температури на імпеданс ділянки "витік-стік" двозатворного МДН транзистора. В моделях враховуються поверхневі стани та реактивні властивості зазначених структур. Проведено аналіз фізичних процесів на поверхні та в об'ємі ка на лу двозатворного МДН транзистора, отримано функціональні залежності імпедансу реактивного МДН транзистора від температури навколишнього середовища в широкій смузі частот для різних зміщень на затворах.