| dc.contributor.author | Кичак, В. М. | uk |
| dc.contributor.author | Михалевський, Д. В. | uk |
| dc.contributor.author | Стронський, В. В. | uk |
| dc.date.accessioned | 2017-02-22T08:53:48Z | |
| dc.date.available | 2017-02-22T08:53:48Z | |
| dc.date.issued | 2005-06 | |
| dc.identifier.citation | Кичак В. М. Оцінка якості інтегральних транзисторів за допомогою низькочастоних шумів [Текст] / В. М. Кичак, Д. В. Михалевський, В. В.Стронський // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процессах. - 2005. - № 2. - С. 177-181. | uk |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/14284 | |
| dc.description.abstract | В роботі проведено аналіз виразу для шумової моделі транзистора який показує, що найбільший рівень шумів має місце в інверсному режимі інтегрального транзистора. Для активного режиму паразитний опір вносить тільки тепловий шум,
рівень якого у широкому діапазоні частот залишається сталим. Якість транзисторів залежить від рівня шумової напруги. Якщо рівень виміряної шумової напруги для
транзистора на два і більше порядків більший рівня отриманого за розрахунками, то це вказує на потенційну ненадійність виробу. | uk |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | Хмельницький національний університет | uk |
| dc.relation.ispartof | Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процессах 2 : 177-181. | uk |
| dc.subject | власні шуми | uk |
| dc.subject | низькочастотні шуми | uk |
| dc.subject | вироби електронної техніки | uk |
| dc.subject | контроль | uk |
| dc.subject | інтегральний транзистор | uk |
| dc.title | Оцінка якості інтегральних транзисторів за допомогою низькочастотних шумів | uk |
| dc.type | Article | |
| dc.identifier.udc | 621.315.592 | |
