| dc.contributor.author | Осадчук, А. В. | ru |
| dc.contributor.author | Осадчук, О. В. | uk |
| dc.date.accessioned | 2017-03-19T08:34:12Z | |
| dc.date.available | 2017-03-19T08:34:12Z | |
| dc.date.issued | 1998 | |
| dc.identifier.citation | Осадчук А. В. Исследование транзисторной структуры с отрицательным сопротивлением [Текст] / А. В. Осадчук // International Conference Materials "ELECTRONICS ‘ 98". - Kaunas : Technologija, 1998. - С. 15-20. | ru |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/14852 | |
| dc.description.abstract | Полупроводниковые структуры с трицательным сопротивлением, в частности лямбда структуры, нашли широкое использование в качестве переключающих, генераторных, логических, пороговых устройств [1-3]. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Каунасский технологический университет | ru |
| dc.relation.ispartof | International Conference Materials "ELECTRONICS ‘ 98" : 15-20. | en |
| dc.subject | отрицательное сопротивление | ru |
| dc.subject | генератор | ru |
| dc.subject | частота | ru |
| dc.subject | математическая модель | ru |
| dc.subject | транзисторная структура с отрицательным сопротивлением | ru |
| dc.title | Исследование транзисторной структуры с отрицательным сопротивлением | ru |
| dc.type | Thesis | |
