Вплив паразитної ємності польових транзисторів на рівень власних шумів
Author
Михалевський, Д. В.
Mykhalevskiy, D. V.
Date
2013Metadata
Show full item recordCollections
- Наукові роботи каф. ІКСТ [439]
Abstract
В роботі розглянуто вплив паразитної ємності польових МОН-транзисторів на рівень їх власних шу-мових характеристик, для операцій вхідного та вихідного контролю. In this paper, the influence of parasitic capacitance MOSFETs field on the intrinsic noise level for operation input and output control.
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/15014