Вплив паразитної ємності польових транзисторів на рівень власних шумів

Abstract

В роботі розглянуто вплив паразитної ємності польових МОН-транзисторів на рівень їх власних шу-мових характеристик, для операцій вхідного та вихідного контролю.

In this paper, the influence of parasitic capacitance MOSFETs field on the intrinsic noise level for operation input and output control.