Дослідження зміни часу перемикання комірки пам’яті на базі ХСН від товщини плівки та перенапруження у зразку

Abstract

На основі емісійної моделі зміни фаз плівки халькогенідного склоподібного напівпровідника (ХСН) у комірці пам’яті розраховано та побудовано графік залежності часу перемикання від товщини зразка при різних значеннях рухливості дірок з якого випливає, що при збільшенні товщини плівки час перемикання нелінійно зростає і залежить від типу матеріалу – при незначному збільшенні рухливості дірок різко зменшується. Також продемонстровано різке зменшення часу перемикання при перевищенні порогової напруги, причому при зменшенні температури ця залежність зростає. Важливість отриманих результатів в тому, що вони збігаються з експериментальними. Це дає можливість покращити моделювання процесів у плівках ХСН, що використовуються у запам’ятовуючих пристроях.

In this paper are calculated and constructed a graph of the switching time memory cells on the thickness of the sample at different values of hole mobility. These calculations were based on emission model of phase change of chalcogenide glassy semiconductor (CGS) film. The calculations imply that an increase in the film thickness increases switching nonlinear and depends on the type of material - with a slight increase hole mobility decreases sharply. Also demonstrated a sharp decrease switching time in case excess of the threshold voltage, moreover with decreasing temperature this dependence is growing. The importance of the results that are consistent with experimental. This enables better modeling of processes in CGS films used in storage devices.