Показать сокращенную информацию

Організація та структура матриць пам’яті на базі хсн

dc.contributor.authorСлободян, І. В.uk
dc.date.accessioned2018-04-06T08:41:54Z
dc.date.available2018-04-06T08:41:54Z
dc.date.issued2017
dc.identifier.citationСлободян І. В. Організація та структура матриць пам’яті на базі хсн [Текст] / І. В. Слободян // Міжнародна науково-технічна конференція "Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2017)», Вінниця, 28-30 вересня 2017 р. – 2017. – С. 81–83.uk
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/19972
dc.description.abstractРозглянуто проблеми створення енергонезалежних цифрових пристроїв зберігання інформації на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника. Запропоновано структурні схеми двовимірної та тривимірної матриці пам’яті. Вказані недоліки та переваги кожного виду матриці. Тривимірну матрицю рекомендовано для реального застосування.uk
dc.description.abstractIn this paper the problems of creating nonvolatile digital storage devices based on chalcogenide vitreous semiconductor are discussed. A structural scheme of two-dimensional and three-dimensional matrix of memory are offered. Advantages and disadvantages of each type of matrix are considered also. The three-dimensional matrix is recommended for real use.en
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherВНТУuk
dc.relation.ispartofМіжнародна науково-технічна конференція "Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2017)», Вінниця, 28-30 вересня 2017 р. : 81-83.uk
dc.subjectцифрова пам’ятьuk
dc.subjectхалькогенідний склоподібний напівпровідникuk
dc.subjectматриці пам’ятіuk
dc.subjectdigital memoryen
dc.subjectchalcogenide glassy semiconductoren
dc.subjectmemory matrixen
dc.titleОрганізація та структура матриць пам’яті на базі хснuk
dc.typeThesis
dc.identifier.udc621.397


Файлы в этом документе

Thumbnail
Имя:
слобод.pdf
Размер:
368.8Kb
Формат:
PDF
Открыть

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать сокращенную информацию