Оптимізація режимів формування інжектуючих бар’єрних переходів на основі срібла до арсеніду галію

Abstract

Процеси, які відбуваються при взаємодії металів з напівпровідниковими сполуками А3В5, є предметом інтенсивних досліджень, які підтвердили складність процесів, котрі протікають у контактах на межі розподілу фаз. Досліджено умови виготовлення та режими термічної обробки контакту Ag/n-n+GaAs. Визначені: температура підкладки; температура відпалу, час відпалу; швидкість підвищення температури відпалу та охолодження для отримання бар’єрного переходу Ag/n-n+GaAs з висотою бар’єра 0,98 В. Підвищення висоти потенційного бар’єра пов’язане з поліпшенням адгезії плівок, а також початком взаємної дифузії хімічних елементів срібла, галію та миш’яку, що утворюють контакт.

Процессы, происходящие при взаимодействии металлов с полупроводниковыми соединениями А3В5, являются предметом интенсивных исследований, подтвердивших сложность процессов, протекающих в контактах на границе раздела фаз. Исследованы условия изготовления и режимы термической обработки контакта Ag/n-n+GaAs. Определены температура подложки; температура отжига, время отжига; скорость подъема температуры отжига и охлаждения для получения барьерного перехода Ag/n-n+GaAs с высотой барьера 0,98 В. Повышение высоты потенциального барьера связано с улучшением адгезии пленок, а также началом взаимной диффузии химических элементов серебра, галлия и мышьяка, образующих контакт.

The processes that occur during metals interaction with semiconductor A3B5 compounds are the subject of intensive research, which confirmed the complexity of processes occurring in contacts at the phase separation boundary. The producing conditions and the thermal treatment contact Ag/n-n+GaAs regimes have been researched. The substrate temperature; the annealing temperature and annealing time; the rise and cooling annealing temperature rate are determined to obtain a barrier transition Ag/n-n+GaAs with a barrier height of 0,98 V. It is assumed that the potential barrier height increase is associated with the improved films adhesion, as well as the beginning of mutual diffusion between silver, gallium and arsenic, during contact formation.