<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Дослідження приймачів слабоінтенсивних телекомунікаційних сигналів

Вантажиться...
Ескіз

Дата

Науковий керівник

Редактор

Інші учасники

Відповідальний

ORCID

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

DOI

Альтернативна назва

Анотація

У даній роботі виконується дослідження приймачів слабоінтенсивних телекомунікаційних сигналів, що працюють в терагерцовому діапазоні випромінювання.
In this paper is studied the receivers of low-intensity telecommunication signals operating in the terahertz range of emition.

Опис

УДК

Тип документа

Мова

ISSN

Серія, номер

ISBN

ББК

Інші ідентифікатори

Пов’язані матеріали

Спонсорська підтримка

Правовласник

Бібліографічний опис

Самолюк І. А. Дослідження приймачів слабоінтенсивних телекомунікаційних сигналів [Електронний ресурс] / І. А. Самолюк ; наук. кер. М. В. Васильківський // Матеріали XLIX науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 27-28 квітня 2020 р. – Електрон. текст. дані. – 2020. – Режим доступу: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2020/paper/view/9102.

Схвалення

Рецензія

Доповнено

Цитується в

Список використаної літератури (5)

  1. В. М. Кичак, І. А. Самолюк,  М. В. Васильківський «Квантові приймачі для терагерцового спектру частот» Матеріали конференції «Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах (ВОТТП-2018)», Одеса, 2018 [Електронний ресурс]. Режим доступу: https://biblio.onat.edu.ua/bitstream/handle/123456789/1991/vottp-2018-konf.pdf? Sequence=1&isAllowed=y. Дата звернення: Березень 2020.
  2. Васильківський М. В., Самолюк І. А. «Дослідження джозефсонівських наносистем на основі ВТНП», Матеріали конференції «XLVIIІ Науково-технічна конференція підрозділів Вінницького національного технічного університету (2019)», Вінниця, 2019
  3. В. М. Василькіський, І. А. Самолюк «Інфокомунікаційні системи на основі інтелектуальних оптичних мультиплексорів» Матеріали конференції «XLVII Науково-технічна конференція факультету інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем, Вінниця, 2018 [Електронний ресурс]. Режим доступу: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2018/paper/ view/4595. Дата звернення: Березень 2020.
  4. Shurakov A., Mikhalev P., Mikhailov D. et al. Ti/Au/n-GaAs planar Schottky diode with a moderately Si-doped matching sublayer // Microelectron. Eng. 2018. Vol. 195. pp. 26–31.
  5. Krause S., Mityashkin V., Antipov S. et al. Reduction of phonon escape time for NbN Hot Electron Bolometers by using GaN buffer layers // IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol. 2017. Vol. 7, no. 1. pp. 53–59.