Декогерентизация ііі-n низкоразмерных наноструктур квантовых процессоров

Abstract

У роботі пропонується збільшення часу когерентного стану при кімнатних температурах використанням квантових точок всередині монокристаллической структури з великою шириною забороненої зони, зокрема, прямозоні матеріалів нітриду галію або алюмінію, вирощених в нанореакторах анодного оксиду алюмінію або оксиду кремнію, отриманого в порах оксиду алюмінію. Наші результати показують ефективність застосування таких самоорганізованих структур з метою створення масивів квантових точок, стійких до процесів декогеренції. У порівнянні з іншими технологіями створення квантового комп'ютера, використання широкозонних прямозоні бездефектних матеріалів забезпечує роботу пристроїв при кімнатній температурі.

В работе предлагается увеличение времени когерентного состояния при комнатных температурах использованием квантовых точек внутри монокристаллической структуры с большой шириной запрещенной зоны, в частности, прямозонных материалов нитрида галлия или алюминия, выращенных в нанореакторах анодного оксида алюминия или оксида кремния, полученного в порах оксида алюминия. Наши результаты показывают эффективность применения таких самоорганизованных структур с целью создания массивов квантовых точек, устойчивых к процессам декогерентизации. В сравнении с другими технологиями создания квантового компьютера, использование широкозонных прямозонных бездефектных материалов обеспечивает работу устройств при комнатной температуре.

The paper proposed increase in time coherent state at room temperature using quantum dots within monokrystallycheskoy structure with a large band gap, particularly pryamozoni material or aluminum gallium nitride grown in nanoreactors anodic aluminum oxide or silicon oxide, resulting in the pores of alumina. Our results show the efficacy of self-organized structures to create arrays of quantum dots that are resistant to decoherence processes. Compared to other technologies, creating a quantum computer, using wide-pryamozoni defect-free materials provides the device at room temperature.