Нанокарбидные процессы при мос-эпитаксии III-нитридных структур

Abstract

Обсуждается возможность целенаправленного формирования оптоэлектронных приборов с использованием многообразия углеродных наноструктур. Впервые получена аномальная анизотропная электропроводность с полупроводниковым характером температурной зависимости поверхности накарбидизированного с-сапфира. Установлено активирующее влияние температурной обработки поверхности с-сапфира в потоке аммиака (Т=1050оС, t = 20 мин при давлении в реакторе порядка 20 – 50 мбар) для последующего образования в нанотекстурированном сапфире нанокарбидных структур в потоке триметил алюминия (Т = 1000оС, газ-носитель азот, t = 1 мин).

Обсуждается возможность целенаправленного формирования оптоэлектронных приборов с использованием многообразия углеродных наноструктур. Впервые получена аномальная анизотропная электропроводность с полупроводниковым характером температурной зависимости поверхности накарбидизированного с-сапфира. Установлено активирующее влияние температурной обработки поверхности с-сапфира в потоке аммиака (Т=1050оС, t = 20 мин при давлении в реакторе порядка 20 – 50 мбар) для последующего образования в нанотекстурированном сапфире нанокарбидных структур в потоке триметил алюминия (Т = 1000оС, газ-носитель азот, t = 1 мин).

The possibility of optoelectronic devices forming with the variety of carbon nanostructures are described. An anomalous anisotropic conductivity of the semiconductor character of the temperature dependance of the nonocarbid c-sapphire was first time receive. The article views an active influence of the temperature of c-sapphire surface treatment in ammonia current ( Т=1050оС, t = 20 min in the reactor at a pressure of about 20-50 mbar) for further formation of nanocarbide structures in nanotexturize sapphire in