• English
    • українська
  • українська 
    • English
    • українська
  • Увійти
Дивитися документ 
  • Головна
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Кафедра інформаційних радіоелектронних технологій і систем
  • Наукові видання каф. ІРТС
  • Дивитися документ
  • Головна
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Кафедра інформаційних радіоелектронних технологій і систем
  • Наукові видання каф. ІРТС
  • Дивитися документ
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Радиоизмерительные частотные параметрические преобразователи давления с тензочувствительными биполярными и полевыми транзисторами

Автор
Осадчук, А. В.
Осадчук, Я. А.
Осадчук, О. В.
Осадчук, Я. О.
Дата
2019
Metadata
Показати повну інформацію
Collections
  • Наукові видання каф. ІРТС [33]
Анотації
Розроблено математичні моделі радіовимірювальних частотних параметричних перетворювачів тиску на основі транзисторних структур з від`ємним диференційним опором з чутливими біполярними транзисторами, двоколекторними біполярними транзисторами, двохстоковими польовими транзисторами з пасивними і активними індуктивними елементами коливального контору перетворювачів, в яких враховано вплив тиску на елементи нелінійних еквівалентних схем перетворювачів, що дало змогу визначити функцію перетворення тиску у частоту та рівняння чутливості. Проведено експериментальні дослідження радіовимірювальних частотних параметричних перетворювачів тиску з тензочутливими двохколекторними біполярними і двохстоковими польовими транзисторами з пасивними і активними індуктивними елементами коливальних контурів перетворювачів. Чутливість радіовимірювального перетворювача тиску на основі двоколекторного біполярного тензочутливого елемента з пасивним індуктивним елементом складала 0,65 кГц/Па·105 – 1,12 кГц/Па·105 , а чутливість перетворювача тиску на основі двохстокового тензочутливого польового транзистора з активним індуктивним елементом змінювалась від 1,6 кГц/Па до 2,85 кГц/Па.
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/34167
Відкрити
89331.pdf (1.063Mb)

Інституційний репозиторій

ГоловнаПошукДовідкаКонтактиПро нас

Ресурси

JetIQСайт бібліотекиСайт університетаЕлектронний каталог ВНТУ

Перегляд

Всі архівиСпільноти та колекціїЗа датою публікаціїАвторамиНазвамиТемамиТипВидавництвоМоваУДКISSNВидання, що міститьDOIЦя колекціяЗа датою публікаціїАвторамиНазвамиТемамиТипВидавництвоМоваУДКISSNВидання, що міститьDOI

Мій обліковий запис

ВхідРеєстрація

Статистика

View Usage Statistics

ISSN 2413-6360 | Головна | Відправити відгук | Довідка | Контакти | Про нас
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ