Показати скорочену інформацію

dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.contributor.authorОсадчук, В. С.uk
dc.contributor.authorДуменко, Д. О.uk
dc.date.accessioned2021-11-22T12:56:42Z
dc.date.available2021-11-22T12:56:42Z
dc.date.issued2021
dc.identifier.citationОсадчук О. В. Стабілізація параметрів транзисторних аналогів індуктивності [Електронний ресурс] / О. В. Осадчук, В. С. Осадчук, Д. О. Думенко // Матеріали Міжнародної науково-практичної конференції "Сучасні проблеми інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем" (СПІРН-2021), 3-5 листопада 2021 р. – Вінниця, 2021. – Режим доступу: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/spirn/spirn2021/paper/view/13737.uk
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/34413
dc.description.abstractВ роботі представлено метод стабілізації параметрів транзисторних аналогів індуктивності. Отримано аналітичні вирази для коефіцієнта режимної нестабільності індуктивності та добротності транзисторного аналога індуктивності, а також вираз для відносної похибки індуктивності при наявності негативного зворотного зв`язку на змінному струмі.uk
dc.description.abstract- The method of stabilization of parameters of transistor analogs of inductance is presented in the work. Analytical expressions for the coefficient of regime instability of inductance and Q-factor of transistor analog of inductance, as well as the expression for the relative error of inductance in the presence of negative feedback on alternating current are obtained.en
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherВНТУuk
dc.relation.ispartofМатеріали Міжнародної науково-практичної конференції "Сучасні проблеми інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем" (СПІРН-2021), 3-5 листопада 2021.uk
dc.relation.urihttps://conferences.vntu.edu.ua/index.php/spirn/spirn2021/paper/view/13737
dc.subjectтранзисторний аналог індуктивностіuk
dc.subjectактивна індуктивністьuk
dc.subjectнегативний зворотний зв’язокuk
dc.subjecttransistor inductance analogen
dc.subjectactive inductanceen
dc.subjectnegative feedbacken
dc.titleСтабілізація параметрів транзисторних аналогів індуктивностіuk
dc.typeThesis
dc.identifier.udc621.382
dc.relation.referencesA. Thanachayanont and A. Payne, “VHF CMOS integrated active inductor”, Electronics Letters, vol. 32, pp. 999-1000, May 1996.en
dc.relation.referencesY. Wu, M. Ismail and H. Olson, “A novel CMOS fully differential inductorless RF bandpass filter”, IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS 2000), Switzerland, pp. 149–152, 2000.en
dc.relation.referencesH. Xiao and R. Schaumann, “A 5.4-GHz high-Q tunable activeinductor bandpass filter in standard digital CMOS technology”, Analog Integrated Circuits and Signals Processing, vol. 51, pp. 1-9, April 2007.en
dc.relation.referencesY. Wu, M. Ismail and H. Olsson, “CMOS VHF/RF CCO based on active inductors”, Electronics Letters, vol. 37, pp. 472-473, April 2001.en
dc.relation.referencesL.-H. Lu, H.-H. Hsieh and Y.-T. Liao, “A wide tuning-range CMOS VCO with a differential tunable active inductor”, IEEE Microwave Theory and Techniques, vol. 54, pp. 3462-3468, Sept. 2006.en
dc.relation.referencesОсадчук В. С., Осадчук А. В. Реактивные свойства транзисторов и транзисторных схем. - Винница: «УниверсумВинница», 1999. - 275 с.ru
dc.relation.referencesОсадчук В. С. Индуктивный эффект в полупроводниковых приборах. –К.: Высшая Школа, 1987. –154 с.ru


Файли в цьому документі

Thumbnail

Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)

Показати скорочену інформацію