Математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання

Abstract

У роботі удосконалено математичну модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення. Запропоновано нелінійну апроксимацію статичних характеристик транзисторної структури на основі НВЧ біполярного і польового транзисторів. Отримані співвідношення для інженерного розрахунку мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення.

В работе усовершенствована математическая модель микроэлектронного частотного сенсора оптического излучения. Предложена нелинейная аппроксимация статических характеристик транзисторной структуры на основе СВЧ биполярного и полевого транзисторов. Получены соотношения для инженерного расчёта микроэлектронного частотного сенсора оптического излучения.

In this work the mathematical model of the frequency microwave sensor of optical radiation has been improved. The non-lineal approximation of static characteristics of the transistor structure, based on microwave field-effect and bipolar transistors, has been proposed. The equations for computation of the frequency microwave sensor of optical radiation have been obtained.