dc.contributor.author | Кичак, В. М. | uk |
dc.contributor.author | Слободян, І. В. | uk |
dc.contributor.author | Вовк, В. Л. | uk |
dc.date.accessioned | 2021-11-29T08:18:48Z | |
dc.date.available | 2021-11-29T08:18:48Z | |
dc.date.issued | 2021 | |
dc.identifier.citation | Кичак В. М. Конструктивно-технологічні методи підвищення радіаційної стійкості запам`ятовуючого пристрою на базі МОН-ХСН [Текст] / В. М. Кичак, І. В. Слободян, В. Л. Вовк // Матеріали Міжнародної науково-технічної конференції "Сучасні проблеми інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем (СПІРН-2021)», Вінниця, 03-05 листопада 2021 р. – Електрон. текст. дані. – 2021. – Режим доступу: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/spirn/spirn2021/paper/view/13862. | uk |
dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/34693 | |
dc.description.abstract | У даній роботі запропоновано три конструктивно-технологічні методи підвищення радіаційної стійкості запам`ятовуючого пристрою на базі МОН-ХСН. Суть першого методу зводиться до використання двошарового охоронного кільця, легування підзаслінного шару напівпровідника іонами флуора та застосування як підзаслінного шару діелектрика нітріду кремнію. Суть другого методу зводиться до застосування елементів розв`язки тонкоплівкових транзисторів на базі аморфних напівпровідників. А суть третього – використання як елементів розв`язки тонкоплівкових польових транзисторів на базі АН та елемента перемикання на базі ХСН. | uk |
dc.description.abstract | This paper proposes three design and technological methods to increase the radiation resistance of a storage device
based on MOS-CGS. The essence of the first method is to use a two-layer protective ring, doping the undercurrent layer
of the semiconductor with fluoride ions and the use of silicon nitride dielectric as the undercurrent layer. The essence of
the second method is to use the decoupling elements of thin-film transistors based on amorphous semiconductors. And
the essence of the third is the use of thin-film field-effect transistors based on AN and switching element based on CGS
as isolation elements. | en |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | ВНТУ | uk |
dc.relation.ispartof | Матеріали Міжнародної науково-технічної конференції "Сучасні проблеми інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем (СПІРН-2021)», Вінниця, 03-05 листопада 2021 р. | uk |
dc.relation.uri | https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/spirn/spirn2021/paper/view/13862 | |
dc.subject | запам`ятовуючий пристрій | uk |
dc.subject | аморфний напівпровідник (AН) | uk |
dc.subject | радіаційна стійкість | uk |
dc.subject | storage device | en |
dc.subject | amorphous semiconductor (AS) | en |
dc.subject | radiation resistance | en |
dc.title | Конструктивно-технологічні методи підвищення радіаційної стійкості запам`ятовуючого пристрою на базі МОН-ХСН | uk |
dc.type | Thesis | |
dc.identifier.udc | 621.397 | |
dc.relation.references | Prinzie J. Optimal Physical Implementation of Radiation Tolerant High-Speed Digital Integrated Circuits in Deep-Submicron
Technologies / Jeffrey Prinzie, Karel Appels, Szymon Kulis // Electronics. - 2019. - Vol. 8, No. 4. - pp. 432. doi: 10.3390/
electronics8040432. | en |
dc.relation.references | Kyungsoo Jeong Radiation-Hardened Instrumentation Amplifier for Sensor Readout Integrated Circuits in Nuclear Fusion
Applications / Kyungsoo Jeong, Duckhoon Ro, Gwanho Lee, Myounggon Kang and Hyung-Min Lee // Electronics. – 2018. – Vol.7,
No. 12. – pp. 429. doi: 10.3390/electronics7120429. | en |
dc.relation.references | Wong H.P., Raoux S., Kim S., Liang J., Reifenberg J.P., Rajendran B., Asheghi M. and Goodson K.E. (2010) PhaseChange
Memory. Proceedings of the IEEE, Vol. 98, Iss. 12, pp. 2201-2227. DOI: 10.1109/jproc.2010.2070050. | en |