Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію

Abstract

В роботі досліджується вплив іонного травлення поверхонь пластин кремнію на основні параметри фотодіодів, виготовлених на цих поверхнях.

Исследуется влияние ионного травления поверхностей кремния на основные параметры фотодиодов, изготовленых на этих поверхностях.

Influence of ion etching of surfaces of silicon plates on the principal parameters of photodiodes made on these surfaces is investigated.