Вивчення електричних та фотодіодних характеристик органічної структури на основі плівки фталоціаніну нікелю легованої киснем, сформованої на гнучкій електропровідній підкладці

Abstract

Проведено комплексний аналіз тонких плівок органічного молекулярного напівпровідника фталоціаніну нікелю (NiPc) легованого киснем та бар’єрної структуру на його основі, сформованої на гнучкій електропровідній підкладці ITO/NiPc/Al. Визначено основні процеси походження струму в бар’єрній структурі, спектральну фоточутливість та фотовольтаїчні параметри даної структури.

Проведено комплексный анализ тонких пленок молекулярного полупроводника фталоцианина никеля (NiPc) легированного кислородом и барьерной структуры на его основе, сформированной на гибкой токопроводящей подложке ITO/NiPc/Al. Определено основные процессы прохождения тока в барьерной структуры, спектральную фоточувствительность и фотовольтаические параметры данной структуры.

The complex analysis of thin films of oxygen doped organic molecular semiconductor nickel phthalocyanine (NiPc) and barrier structure on its base, formed on a flexible conductive substrate ITO/NiPc/Al was carried out. The main processes of current flow in barrier structure, spectral photosensitivity and photovoltaic parameters such structure were defined.