Шумова модель польових транзисторів для прогнозування їх надійності за рівнем низькочастотного шуму
Автор
Кичак, В. М.
Михалевський, Д. В.
Крупський, О. В.
Дата
2009Metadata
Показати повну інформаціюCollections
Анотації
У статті проаналізовано внутрішні шуми польових транзисторів, а також запропоновано шумову модель із врахуванням елементів схеми вмикання. Проведено дослідження залежності шумової напруги польового транзистора від режиму роботи та визначено області допустимих значень шумової напруги, в межах якої польовий транзистор є надійним.
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей ресурс:
http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/176
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/4452