Розподіл концентрації інжектованих носіїв заряду в базовій області при дії магнітного поля в біполярних магніточутливих структурах
Аннотации
Показано вплив магнітного поля на розподіл концентрації носіїв заряду в базовій області
біполярних магніточутливих структурах. Отримано теоретичні залежності параметрів
біполярних транзисторів з урахуванням цього впливу.
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/289
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/4667