<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Розподіл концентрації інжектованих носіїв заряду в базовій області при дії магнітного поля в біполярних магніточутливих структурах

dc.contributor.authorОсадчук, В. С.uk
dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.date.accessioned2016-01-21T11:33:17Z
dc.date.available2016-01-21T11:33:17Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractПоказано вплив магнітного поля на розподіл концентрації носіїв заряду в базовій області біполярних магніточутливих структурах. Отримано теоретичні залежності параметрів біполярних транзисторів з урахуванням цього впливу.uk
dc.identifier.citationОсадчук В. С. Розподіл концентрації інжектованих носіїв заряду в базовій області при дії магнітного поля в біполярних магніточутливих структурах [Електронний ресурс] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. - 2011. - № 3. - Режим доступу : http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/289.uk
dc.identifier.issn2307-5376
dc.identifier.udc681.382
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/4667
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherВінницький національний технічний університетuk
dc.relation.urihttp://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/289
dc.subjectмагнітне полеuk
dc.subjectсенсориuk
dc.subjectбіполярний транзисторuk
dc.titleРозподіл концентрації інжектованих носіїв заряду в базовій області при дії магнітного поля в біполярних магніточутливих структурахuk
dc.typeArticle

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
287.pdf
Розмір:
238,28 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
132 B
Формат:
Plain Text
Опис: