Аналіз сучасних багатоелементних фотоприймальних пристроїв та оптико-електронних методів і засобів на їх основі

Abstract

Наступна революція, яка відбудеться у двадцять першому сторіччі, зумовлена поєднанням дешевих оптичних сенсорів із мікропроцесорами та лазерами, які є основою оптико-електронних вимірювальних систем. Такі системи включають використання широкого класу фотодетекторів, до яких відносяться позиційно-чутливі фотодетектори ПЧД, матриці й фотолінійки на основі приладів із зарядовим зв'язком ПЗЗ, а також на основі комплементарних структур метал—оксид—напівпровідник КМОН, які і описані в даній статті.

Следующая революция, которая состоится в двадцать первом веке, обусловлена объединением дешевых оптических сенсоров с микропроцессорами и лазерами, которые являются основой оптико-электронных измерительных систем. Такие системы включают использование широкого класса фотодетекторов, к которым относятся позиционно-чувствительные фотодетекторы ПЧД, матрицы и фотолинейки на основе приборов с зарядовой связью ПЗС, а также на основе комплементарных структур металл—оксид—полупроводник КМОП, которые и представлены в данной статье.

The next revolution in the 21st century will be caused by combination of cheap optical sensors, microprocessors and lasers, which are the basis of optoelectronic measuring systems. A wide range of photodetectors including PSD, one- and two-dimensional CCD and CMOS imagers, being applied in that sort of systems, are considered in the article.