Розробка радіовимірювальних мікроелектронних перетворювачів температури на основі структури метал-сегнетоелектрик-напівпровідник

Abstract

Проаналізовано сучасні технології отримання тонких сегнетоелектричних плівок, методи побудови радіовимірювальних мікроелектронних перетворювачів температури. Запропоновано новий метод вимірювання температури на основі поєднання сегнетоелектричних тонких плівок з транзисторними структурами з від'ємним опором та розроблено електричні схеми радіовимірювальних мікроелектронних перетворювачів температури на основі структури метал-сегнетоелектрик-напівпровідник.

Проанализированы современные технологии получения тонких сегнетоэлектрических пленок, методы построения радиоизмерительных микроэлектронных преобразователей температуры. Предложен новый метод по измерению температуры на основе объединения сегнетоэлектрических тонких пленок и транзисторных структур с отрицательным сопротивлением и разработаны электрические схемы радиоизмерительных микроэлектронных преобразователей температуры на основе структуры метал-сегнетоэлектрик-полупроводник.

In the paper modern technologies of ferroelectric| thin films, methods of construction of radiomeasuring | microelectronic transformers of temperature are analyzed. A new method of measuring of temperature on the basis of combined ferroelectric thin | films and transistors structures with negative resistance was offered and electric circuits of radiomeasuring | microelectronic transformers of temperature on the basis of structure metal-ferroelectric-semiconductor were developed.