Мікроелектронний перетворювач густини оптичної потужності на основі кремнієвих сонячних елементів

Abstract

Розроблено математичну модель мікроелектронного перетворювача густини оптичної потужності на основі МДН-транзисторів та кремнієвого сонячного елемента. На основі моделі отримано аналітичні залежності для функції перетворення та рівняння чутливості.

Разработана математическая модель микроэлектронного преобразователя плотности оптической мощности на основе МДП-транзисторов и кремниевого солнечного элемента. На основе модели получены аналитические зависимости для функции преобразования и уравнения чувствительности.

The mathematical model of the microelectronic optical power density transducer on the basis of field-effect transistors and silicon solar cell is developed. Analytical dependences for the conversion function and sensitivity equation are received on the basis of the model.