• українська
    • English
  • українська 
    • українська
    • English
  • Увійти
Дивитися документ 
  • Головна
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Кафедра інформаційних радіоелектронних технологій і систем
  • Наукові роботи каф. ІРТС
  • Дивитися документ
  • Головна
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Кафедра інформаційних радіоелектронних технологій і систем
  • Наукові роботи каф. ІРТС
  • Дивитися документ
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Микроэлектронный радиоизмерительный сенсор давления с частотным выходом

Автор
Осадчук, В. С.
Осадчук, А. В.
Осадчук, Я. А.
Осадчук, О. В.
Осадчук, Я. О.
Osadchyk, V. S.
Дата
2015-02
Metadata
Показати повну інформацію
Collections
  • Наукові роботи каф. ІРТС [800]
Анотації
В статье представлены характеристики микроэлектронного радиоизмерительного сенсора давления с частотным выходом в виде автогенераторной схемы на основе двух полевых транзисторов с различной проводимостью каналов и чувствительным к давлению конденсатором. На основе эквивалентной схемы микроэлектронного радиоизмерительного сенсора давления получены зависимости выходного сигнала от времени, функцию преобразования и чувствительности. Чувствительность устройства зависит от режима питания по постоянному току и величины давления, которое действует на чувствительную к давлению емкость, она изменяется от 470 до 235 Hz/mmHg.
 
The paper presents the characteristics of microelectronic radiomeasuring pressure sensor with frequency output in the form of autogenerating scheme based on two field­effect transistors with different channel conductivity and pressure­sensitive capacitor. Based on the equivalent circuit of microelectronic radiomeasuring pressure sensor output signal obtained depending on the time conversion function and sensitivity. The sensitivity of the device depends on the DC power and the pressure which acts on the pressure sensing capacitance, it ranges from 470 to 235 Hz/mmHg
 
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/8221
Відкрити
Стаття (833.5Kb)

Пов'язані елементи

Showing items related by title, author, creator and subject.

  • Напівпровідниковий електростатичний мікрофон 

    Осадчук, Володимир Степанович; Осадчук, Олександр Володимирович; Осадчук, Елена Володимирівна; Осадчук, Владимир Степанович; Осадчук, Александр Владимирович; Осадчук, Елена Владимировна; Osadchuk, Volodymyr Stepanovych; Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych; Osadchuk, Olena Volodymyrivna (Державне підприємство "Український інститут промислової власності"(УКРПАТЕНТ), 2001-02-15)
    Пристрій містить два чутливих до тиску конденсатори, два польових транзистора, джерело напруги, резистор і конденсатор, введено пасивну індуктивність і друге джерело напруги.
  • Частотний ультразвуковий витратомір газу 

    Осадчук, Володимир Степанович; Осадчук, Олександр Володимирович; Жагловська, Олена Миколаївна; Осадчук, Ярослав Олександрович; Осадчук, Владимир Степанович; Осадчук, Александр Владимирович; Осадчук, Ярослав Александрович; Osadchuk, Volodymyr Stepanovych; Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych; Osadchuk, Yaroslav Oleksandrovych (Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2014-11-25)
    Частотний ультразвуковий витратомір газу містить дві пари п'єзоперетворювачів, кожна з яких включає випромінюючий та приймаючий п'єзоперетворювачі, що утворюють в акустичному середовищі вимірюваного потоку два однакових ...
  • Сенсор малих тисків 

    Осадчук, Олександр Володимирович; Осадчук, Володимир Степанович; Осадчук, Ярослав Олександрович; Червак, Оксана Петрівна; Осадчук, Александр Владимирович; Осадчук, Владимир Степанович; Осадчук, Ярослав Александрович; Osadchyk, Oleksandr Volodymyrovych; Osadchyk, Volodymyr Stepanovych; Osadchuk, Yaroslav Oleksandrovych (Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2017-05-25)
    Сенсор малих тисків, який містить напівпровідниковий тензодіод, загальну шину, дві клеми, джерело постійної напруги, ємність, індуктивність, три резистори, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний із першим ...

Інституційний репозиторій

ГоловнаПошукДовідкаКонтактиПро нас

Ресурси

JetIQСайт бібліотекиСайт університетаЕлектронний каталог ВНТУ

Перегляд

Всі архівиСпільноти та колекціїЗа датою публікаціїАвторамиНазвамиТемамиТипВидавництвоМоваУДКISSNВидання, що міститьDOIЦя колекціяЗа датою публікаціїАвторамиНазвамиТемамиТипВидавництвоМоваУДКISSNВидання, що міститьDOI

Мій обліковий запис

Вхід

ISSN 2413-6360 | Головна | Відправити відгук | Довідка | Контакти | Про нас
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ